SKハイニックスは、人工知能（AI）時代に急増するメモリ需要に対応するため、用インと清州に総額54兆ウォン規模の新しい生産施設（ファブ）への投資を行うことを決定した。高帯域幅メモリ（HBM）をはじめとする次世代DRAMや企業向けSSDの需要が構造的に増加すると判断し、大規模な生産能力の確保に先手を打つこととなった。
SKハイニックスは7日、取締役会を開き、用イン半導体クラスター内のDRAM生産工場（Y2）に35兆2000億ウォン、清州のNANDフラッシュ生産工場（M17）に19兆1000億ウォンを投資することを決議した。総投資規模は54兆3000億ウォンである。
今回の投資は、6月に発表した中長期投資戦略のフォローアップである。会社は用イン半導体クラスターに総額600兆ウォン、清州生産基地の拡大に100兆ウォンを投資する計画を立てており、現在用イン1号ファブ（Y1）の建設が進行中である。今回の決定により、用インと清州での後続生産施設の構築にも本格的に着手することとなった。
用インY2は、用インファブの中で2番目の生産施設であり、延床面積34万1000坪の次世代DRAM生産基地として整備される。来年7月に着工し、2029年6月に最初のクリーンルームを開設する予定で、HBMを含む次世代AIメモリを生産する。現在建設中のY1も、来年2月に最初のクリーンルームオープンを目指して工事が進められている。
SKハイニックスは、当初2045年を予定していた用イン半導体クラスターの完成時期を12年早め、2033年までに4つのファブをすべて構築する目標を示している。今回のY2投資決定は、早期完成戦略を支える重要なステップであり、投資の実行は2031年10月まで段階的に行われる。
Y2投資には生産施設だけでなく、研究開発（R&D）統合センターや従業員支援棟、水処理施設・変電施設などのインフラ構築費用も含まれている。用インクラスターは、Y2稼働に必要な1段階の電力・用水インフラ工事が現在99%の進捗率で進んでおり、予定通り工場を建設できる基盤が整っている。
清州では、AI時代に急増するNAND需要に対応するための新ファブM17の建設が推進されている。延床面積20万6000坪のM17は、来年2月に着工し、2028年12月に最初のクリーンルームを開設する計画である。投資期間は2031年4月までである。
清州を新たな生産拠点として選定したのは、既存の生産施設との連携効果によるものである。清州には既にNAND生産工場のM11・M12・M15が稼働しており、電力や用水、用地などの基盤施設がかなり整備されているため、最も早く生産能力を拡大できると判断された。
会社が大規模な投資に踏み切った背景には、AI市場の構造的成長に対する確信がある。市場調査会社オムディアによると、グローバルなDRAMとNAND市場は昨年から2030年まで年平均19%成長すると予測されている。生成型AIを超えてAI推論サービスが本格的に拡大する中で、HBMやサーバー用DRAM、企業向けSSDの需要も急速に増加している。特にAI推論過程で活用されるKVキャッシュストレージの需要やエージェントAI、フィジカルAIの普及により、NANDの活用範囲もさらに広がると予想されている。
SKハイニックスは、AI時代には技術力だけでなく、顧客が求めるタイミングで必要な量を供給できる生産能力が核心的な競争力であると判断している。そのため、ファブ建設は計画通り進めるが、クリーンルームの増設や設備の導入は顧客の需要に応じて段階的に拡大する方式で投資効率を高める計画である。
会社は今回の投資が未来の成長基盤を確保するだけでなく、国内半導体エコシステムの競争力向上や地域経済の活性化にもつながると期待している。用インと清州の両地域で同時に進行する大規模な投資は、協力企業の共に成長する機会を広げ、雇用創出や地域商圏の活性化を促進し、国家経済の持続可能な成長にも寄与する見込みである。
SKハイニックスの関係者は「今回の投資はAI市場の成長速度に合わせて機会を逃さないための戦略的決定である」と述べ、「先手を打った生産基盤の確保を通じて、グローバルAI半導体供給網の安定に寄与する核心的なパートナーとしての地位を確立する」と語った。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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