SKハイニックスは、サンディスクと共に次世代ストレージ技術HBFの初の標準規格を公開した。
SKハイニックスは、現地時間の4日、米国カリフォルニア州サンタクララのコンベンションセンターで開催される『FMS 2026』において、HBFをAI時代のメモリボトルネックを解消するための重要技術として紹介する。
HBFは、高帯域幅メモリ（HBM）と大容量ストレージデバイス（SSD）の間に位置する新しいメモリ階層である。HBMのように高速なデータ処理速度を維持しつつ、NANDフラッシュベースで容量を大幅に増やすことができ、AIデータの急増に伴う速度低下現象を解決するための重要技術とされている。
今年2月にコンソーシアムが発足してから約6ヶ月で得られた初の成果である。公開された規格は、NANDチップを8層・16層に積み重ね、最大512ギガバイト（GB）の容量を実現した。帯域幅（秒あたりのデータ転送量）は最大3.0TB/sまで提供される。
次世代接続標準であるUCIeを採用し、グラフィック処理装置（GPU）や中央処理装置（CPU）など、さまざまな半導体と柔軟に連携できるようにした。
世界最大のオープンデータセンター協力体であるOCP（Open Compute Project）を通じて公開され、業界の共通標準として活用される予定である。現在、GoogleやTenstorrentなどがコンソーシアムに参加している。
SKハイニックスは、FMS 2026内の展示ブースで次世代技術も多数披露する。キム・チョンソン部門長（ソリューション開発）とカン・ウクソン担当（次世代商品企画）がAIインフラの効率化を目指した『階層型メモリ』について共同基調講演を行う。
特に、電力効率を2.5倍向上させた10世代（V10）375層4D NANDウェーハと製品を世界初公開する。SKハイニックスは、来年初めにこのNANDを基にした企業向けSSD（eSSD）の量産に入る計画で、AIメモリ市場での主導権を強化する考えである。
キム・チョンソン部門長は、「AI活用が急速に広がる中で、データ処理構造全体の再設計が求められる時点である」と述べ、「HBFを通じてメモリとストレージ間の境界を拡張し、システム全体の効率を高める新しいアーキテクチャを提案する」と強調した。
* この記事はAIによって翻訳されました。
