SKハイニックスは、一部で懸念されている人工知能（AI）への投資の減速を否定し、高帯域幅メモリ（HBM）などのAIメモリ需要、さらには一般的なDRAMやNANDも構造的な成長局面に入ったと診断した。AIメモリのスーパーサイクルは予想以上に長期化する見通しである。これに伴い、SKハイニックスはHBM4の量産拡大と5年の長期供給契約（LTA）の推進、さらには生産能力の拡大を通じてAIメモリのリーダーシップを確固たるものにする方針である。
SKハイニックスは、29日に行われた今年第2四半期の業績発表のコンファレンスコールで「AIインフラ投資は依然として堅調であり、主要顧客はむしろより多くのメモリ供給を求めている」と述べ、「AIメモリだけでなく、一般メモリも共に成長する構造的変化が見られる」と明らかにした。
続けて「主要なCSP（クラウドサービスプロバイダー）のAI競争とサービス拡大が続くため、来年以降もAIインフラ投資は堅調に持続すると見込んでいる」と付け加えた。
同社は、今年のDRAM需要が20%中盤、NAND需要は10%後半の成長を見込んでいる。先端プロセスの難易度や生産施設の構築期間を考慮すると、供給不足もかなりの期間続くと予想している。
中長期供給契約も拡大している。SKハイニックスは、現在、主要顧客を含む10社以上とLTA交渉を終えたと発表した。契約期間は通常5年であり、単純な物量供給だけでなく、顧客の購入約定や預金などを含む構造である。
SKハイニックスは「現在進行中の生産能力拡大は、顧客との長期的なパートナーシップを基に確保された需要に基づいている」とし、「投資と生産拡大は顧客需要と投資効率を考慮して段階的に進めるため、供給過剰の可能性は限定的である」と強調した。
HBM競争力に対する自信も再確認した。同社はHBM4を第2四半期から量産し始め、下半期には生産を本格的に拡大する計画である。次世代製品であるHBM4Eもすでに主要顧客にサンプル供給を完了し、2027年の量産を目指して開発を進めている。
SKハイニックスは「HBM競争力は性能だけでなく、歩留まりや品質、安定した量産能力も含まれる」とし、「HBM4はすでに前世代製品（HBM3E）と同等のレベルの量産安定性を確保しており、次世代製品の発熱問題を解決するためのiHBM技術も先行して開発している」と述べた。
最近の競合他社の技術追撃については「市場投入時期や製品性能、量産歩留まり、品質、顧客信頼度全般において蓄積してきた競争力は短期間で確保することは難しい」とし、「顧客との早期共同開発経験と長期的な協力基盤をもとに、今後もHBM市場でのリーダーシップを維持できる」と強調した。
AI時代に合わせた攻撃的な投資も続ける。同社はM15Xの量産スケジュールを前倒しし、2027年初頭に用仁1期ファブの稼働後、迅速に生産能力を拡大する計画である。
今年の設備投資（CAPEX）は40兆ウォン後半になると予想している。これは最近発表された清州の先端パッケージング工場（P&T7）や新しいNAND生産基地（M17）、用仁以降の新しい半導体クラスターの形成も中長期的な成長基盤の確保の一環であると説明している。
7月に米ナスダックに上場した米国株式預託証書（ADR）については「単なる資金調達ではなく、グローバル市場が技術力と成長性を認めた結果である」とし、「これを契機に新たな事業機会を発掘する」と強調した。
現在、純現金が69兆ウォンに達し、追加の株主還元政策も予告した。SKハイニックスは「AI時代の成長投資と財務健全性、株主還元のバランスを資本配分の原則としている」とし、「ADR関連の規制手続きが完了次第、年内に追加の株主還元策を市場と共有する」と述べた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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