サムスン電子は、今年第1四半期のグローバルD램市場で首位を確保した。SKハイニックスとのシェア差を広げ、汎用メモリ市場での競争力を証明した。
一方、人工知能（AI）半導体の核心部品である高帯域幅メモリ（HBM）では、SKハイニックスが過半数のシェアを維持し、優位性を続けた。
25日、カウンターポイントリサーチによると、今年第1四半期の売上高ベースのグローバルD램市場シェアは、サムスン電子が38%で1位を占めた。SKハイニックスは29%で2位、マイクロンは22%で続いた。昨年第4四半期から1位を奪還したサムスン電子は、今年第1四半期も首位を維持し、SKハイニックスとのシェア差を9ポイントまで拡大した。
両社の競争構図は、昨年と比較してさらに明確になった。昨年の第1・第2四半期にはSKハイニックスが1位を占めていたが、第3四半期には両社が33%で同率を記録し、その後第4四半期からサムスン電子が再び優位を確立している。
特に中国の長鑫メモリテクノロジー（CXMT）は、シェアを昨年の3%から今年は8%まで引き上げ、追撃に出た。
全体のD램市場もAIサーバーへの投資拡大により急成長した。第1四半期の市場規模は前四半期比80%、前年同期比260%増加し、高成長を続けた。
HBM市場では、SKハイニックスの独走が続いている。今年第1四半期の売上高ベースのグローバルHBM市場シェアは、SKハイニックスが58%で1位を占めた。サムスン電子とマイクロンはそれぞれ21%で共同2位を記録した。SKハイニックスのシェアは昨年第1四半期の69%よりは低下したが、依然として半分を超える水準を維持している。
今後、サムスン電子の反撃の可能性が期待される。サムスン電子が次世代HBM4をエヌビディアに初めて供給することにより、下半期からHBM市場シェアの拡大が本格化する見込みである。
カウンターポイントリサーチは、「サムスン電子は3位を占めているが、エヌビディアにHBM4を初めて納品し、シェアを高めていくと予想される」とし、「HBM売上の大部分はHBM3Eであり、HBM4の納品は下半期に可視化される見込みである」と述べた。
NANDフラッシュ市場では、サムスン電子が29%のシェアで1位を記録した。SKハイニックスが18%で続き、キオクシアが14%、マイクロン・サンディスク・揚子メモリテクノロジー（YMTC）がそれぞれ13%を占めた。特に中国のYMTCは、メモリ供給不足と価格上昇により、昨年の8%から今年は13%までシェアを拡大し、存在感を高めた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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