18日、台湾の聯合報などによると、台湾経済部は前日、韓国政府の次世代電力半導体開発計画に言及し、グローバルな技術競争がますます激化する中、台湾も産業競争力を維持するためにR&D投資を拡大すべきだと述べた。
先日、具潤哲副総理兼企画財政部長は、12日にソウルで開催された非常経済閣僚会議兼経済関係閣僚会議で「超革新経済プロジェクト」を説明し、次世代電力半導体開発計画を提示した。具副総理は当時、「次世代電力半導体は6月中に商用化技術ロードマップを完成し、需要企業と連携した大規模なR&D企画に着手する予定である」と述べた。
次世代電力半導体は、シリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）など、電力損失と発熱を抑えることができる素材を活用した半導体である。電気自動車や再生可能エネルギー、人工知能（AI）データセンターなど、未来の戦略産業全般に使用されることから、次世代の重要部品と見なされている。
台湾経済部は、韓国が次世代電力半導体のR&Dに5000億ウォン以上を投入する計画であり、今後事業規模が7500億ウォンまで拡大する可能性があると説明した。また、韓国政府のこのような計画は半導体産業を育成しようとする強い意志を示していると評価した。
台湾経済部は、経済協力開発機構（OECD）の統計を引用し、最近5年間の台湾の全体R&D投資規模が競争国である韓国の半分にも満たないと指摘した。国内総生産（GDP）に対するR&D支出の比率も韓国より約1%ポイント低く、全体のR&D規模も日本に大きく遅れをとっているため、科学技術投資の拡大の余地が大きいと述べた。
台湾経済部は、政府がR&D資源の投入を継続的に拡大しており、科学技術プロジェクトを通じて産学連携を支援し、未来の重要産業技術開発を推進していると説明した。
今年、台湾経済部の科学技術プロジェクト予算は302億台湾ドル（約1兆4000億ウォン）で、前年より29%増加した。このうち、産業技術R&Dに関連する企業支援予算は100億台湾ドルで、前年対比53%増加した。関連予算案は立法院経済委員会の審査を控えている。
台湾経済部は、長期的な科学技術投資が半導体競争力につながったと強調した。TSMCも台湾工業技術研究院（ITRI）の技術移転と派生創業構造から出発しており、最近ではAI半導体の成長の流れに合わせて検査装置や知的財産権（IP）関連のスタートアップも相次いで設立されていると説明した。
また、ASMLやマイクロンなどのグローバル半導体企業が台湾にR&Dセンターと先端量産拠点を設けており、NVIDIAなどの主要技術企業の研究開発拠点の誘致も続いていると述べた。台湾経済部は、このような成果がR&D予算の投資が産業競争力に転換されていることを示しており、予算拡大の必要性を再度強調した。
ライチンデ台湾総統も、今年を台湾が「スマート繁栄」に向かう重要な年と位置づけ、シリコンフォトニクス、量子科学技術、ロボットなどの核心技術投資を拡大すると明言している。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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