SKハイニックスは、次世代AI用超高性能DRAM新製品である7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）12段のサンプルを主要顧客に供給したと発表した。
同社は「これまで蓄積してきたHBMの先行開発能力と生産ノウハウを基に、HBM4E 12段サンプルを顧客に提供できた」とし、「主要顧客と緊密に協力し、適時量産に万全を期す」と説明した。
今回のサンプル供給を皮切りに、エヌビディア向け次世代AIメモリ市場での独占的地位をさらに強化する見込みである。
特に新製品は、前世代のHBM4に比べて性能と電力効率を一段と向上させた。ピンあたり最大16Gbpsのデータ処理速度を実現し、エネルギー効率を20%以上改善し、人工知能（AI）学習と推論に不可欠なデータ処理性能を大幅に向上させた。
また、HBM4Eは最新のインターフェースと設計最適化により、データ転送遅延を減少させ、高帯域幅環境でも安定した動作を実現した。これにより、次世代AIデータセンターと大規模コンピューティングシステムの処理効率を一層高めることが期待されている。
特にHBM4Eは、アドバンスドMR-MUFプロセスを適用し、12段積層基準で48GB容量を実現するとともに、構造の安定性を高めた。特に熱抵抗をHBM4に比べ約17%低下させ、高性能コンピューティング環境でもメモリが安定して動作するようにした。
安現SKハイニックス開発総括社長（CDO）は「これまで積み上げてきた業界最高の技術競争力と量産能力をHBM4E製品でも引き継ぎ、AI革新を持続的にリードする基盤を整えた」と述べ、「パートナーとの協力を基に市場が求める価値を先取りし、フルスタックAIメモリクリエイターとしての技術リーダーシップを確立する」と強調した。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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