[写真=SKハイニックス]
SKハイニックスは、6世代の高帯域幅メモリ（HBM）であるHBM4の生産能力を拡大するため、韓米半導体の核心設備を追加導入する。これは、エヌビディアの次世代AIアクセラレーター需要に対応するための先行投資と見られている。
韓米半導体は8日、SKハイニックスからHBM4製造用の『TCボンダ4.5グリフィン』設備を受注したと公表した。契約規模は442億ウォンで、契約期間はこの日から9月2日までである。
TCボンダ1台あたりの価格が約30億ウォンであることを考慮すると、今回の受注量は約15台に達すると推定される。この設備はHBM積層工程の核心設備であり、HBM生産量の拡大に直接的な影響を与える。
今回供給される『TCボンダ4.5グリフィン』は、韓米半導体が既存製品をアップグレードし、SKハイニックスの生産ラインに最適化した設備であるとされている。この設備はSKハイニックスの清州事業所内の後工程施設に導入される見込みである。
特にHBM4生産に必須なTCボンダが多数導入されることで、SKハイニックスのHBM4量産拡大戦略も一層加速すると予想される。HBM4はエヌビディアの次世代AIプラットフォーム『ベラ・ルービン（Vera Rubin）』に搭載される予定の核心メモリ製品である。
今回の設備発注は、エヌビディア向けHBM4供給拡大の信号弾と見なされている。実際、エヌビディアのジェンソン・フアンCEOは、5日に金浦空港で「サムスン電子とSKハイニックス、マイクロンの3社のHBM4認証が完了し、現在量産が進行中である」と述べた。
韓米半導体は8日、SKハイニックスからHBM4製造用の『TCボンダ4.5グリフィン』設備を受注したと公表した。契約規模は442億ウォンで、契約期間はこの日から9月2日までである。
TCボンダ1台あたりの価格が約30億ウォンであることを考慮すると、今回の受注量は約15台に達すると推定される。この設備はHBM積層工程の核心設備であり、HBM生産量の拡大に直接的な影響を与える。
今回供給される『TCボンダ4.5グリフィン』は、韓米半導体が既存製品をアップグレードし、SKハイニックスの生産ラインに最適化した設備であるとされている。この設備はSKハイニックスの清州事業所内の後工程施設に導入される見込みである。
特にHBM4生産に必須なTCボンダが多数導入されることで、SKハイニックスのHBM4量産拡大戦略も一層加速すると予想される。HBM4はエヌビディアの次世代AIプラットフォーム『ベラ・ルービン（Vera Rubin）』に搭載される予定の核心メモリ製品である。
今回の設備発注は、エヌビディア向けHBM4供給拡大の信号弾と見なされている。実際、エヌビディアのジェンソン・フアンCEOは、5日に金浦空港で「サムスン電子とSKハイニックス、マイクロンの3社のHBM4認証が完了し、現在量産が進行中である」と述べた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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