サムスン電子とSKハイニックスが人工知能（AI）時代の核心製品である高帯域幅メモリ（HBM）に集中する中、中国企業が汎用DRAMとNANDフラッシュ市場に進出し、シェア拡大に乗り出している。
このような中、中国の二大メモリ企業である長江メモリ技術（CXMT）と揚子メモリ技術（YMTC）が企業公開（IPO）を通じて資金確保に乗り出し、HBMなど次世代メモリの開発にも本格的に取り組む見通しである。一部では韓国と中国の高性能メモリ半導体技術の格差が3～5年に縮まったとの観測も出ている。
2日、業界によると、中国最大のDRAM企業CXMTとNANDフラッシュ企業YMTCは最近、株式上場を推進し、生産能力の拡大と次世代メモリの研究開発（R&D）のための資金確保に乗り出した。
CXMTは先月末、中国上海証券取引所からIPO審査を通過した。現在、登録承認手続きのみが残っており、近く上場手続きを完了する見込みである。IPOを通じて295億元（約6兆5550億ウォン）を調達する計画であり、2020年に上場した中国ファウンドリ（半導体委託生産）企業SMIC以来、歴代2番目の規模となる。
CXMTは最近、グローバルDRAM市場のシェアを8%程度まで引き上げ、事実上サムスン電子・SKハイニックス・マイクロン中心の「3強体制」を脅かす4位の事業者となった。同社の第1四半期の売上は508億元（約11兆3000億ウォン）で、前年同期比719%増加した。中国のスマートフォン製造業者の供給網国産化政策と低価格攻勢が相まって急成長を遂げている。
YMTCもNAND市場で存在感を高めている。YMTCは200層以上の高積層NANDフラッシュ技術を確保し、ソリッドステートドライブ（SSSD）とモバイルストレージ市場の攻略に乗り出している。アメリカの輸出規制にもかかわらず、中国国内の巨大な需要を背景に技術競争力を高めている。この会社も年内の上場を目指して準備を進めている。
彼らはIPO後、HBMの開発に本格的に取り組む見込みである。IPOを通じて確保した資金をAIインフラ構築に必要なプレミアムメモリ分野のR&Dに投入する計画である。特に最近、中国政府がCXMTにHBMの量産能力を大幅に拡大するよう強く指示したとの報道がある。同社は年内にHBM3の量産に本格的に取り組む計画である。
中国のメモリ企業が韓国のHBM技術力を早ければ3年内に追いつくとの分析も出ている。中国が巨額の資金力とR&Dに膨大な時間を投資し、技術格差を急速に縮めているためである。現在、汎用DRAMとNAND市場で生産規模を拡大し、収益基盤を確保した後、これを基に高性能メモリ市場にも進出する戦略が現実化している。
安基賢韓国半導体産業協会専務は「中国のメモリ企業が3～5年内に現在のサムスン電子とSKハイニックスのHBM技術レベルに近づく」とし、「韓国と中国のHBM技術格差は徐々に縮まるだろう」と述べた。続けて「中国は時間制限なく研究開発できる環境が整っているのに対し、韓国は労働基準法上制約がある」とし、「韓国も研究開発に専念できる環境が整う必要がある」と強調した。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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