サムスン電子は次世代高帯域幅メモリ(HBM)であるHBM5の技術方向性を公開し、AIメモリ市場の先取りを目指す意志を示した。
2日、サムスン電子は台湾のコンピュテックス2026展示会でHBM5モックアップと次世代熱管理技術を初めて公開した。宋在赫 サムスン電子 DS部門最高技術責任者(CTO)社長は、メモリ、ファウンドリ、ロジック、パッケージングを網羅するトータルソリューションの競争力がAI時代の核心競争要素として浮上していると強調した。
サムスン電子が示したHBM5技術の方向性の核心は熱管理である。サムスン電子はHPB(Heat Path Block)技術が適用された製品構造を通じて、高性能AIメモリで発生する熱問題を軽減する方法を紹介した。HPBはPHY(Physical Layer)領域で発生する熱を効率的に分散・放出するように設計された技術である。
宋社長はサムスン電子のHBM5が別途熱伝達経路を追加し、熱抵抗を低下させ、動作の安定性を高めたことが強みであると説明した。サムスン電子はすでにHBM4E製品にHPB技術の実装と検証を完了したと発表した。構造設計だけでなく、信頼性やパッケージの安定性も確認したという。
サムスン電子はHBM5に2ナノベースダイを先行して適用する計画も示している。メモリとファウンドリ、パッケージングの能力を結合し、次世代HBM市場で技術競争力を高める戦略である。
今回の展示ではHBM4Eウェーハとチップセットも公開された。サムスン電子のHBM4Eは最先端の1c DRAMコアダイと自社ファウンドリの4ナノプロセスベースダイを組み合わせた製品である。先月29日、業界初のサンプル出荷を完了し、ピンあたり14Gbpsで安定して動作し、最大16Gbpsまで実現可能である。最大帯域幅は4TB/sに達する。
サムスン電子はNVIDIAの次世代AIプラットフォーム『ベラ・ルビン』を支援するメモリ・ストレージポートフォリオも強調した。展示スペースにはサムスン電子製品が搭載されたベラ・ルビンシステムが紹介された。サムスン電子はHBM4やSOCAMM2、PM1763など関連製品群を備えていることをアピールした。
市場調査機関オムディアはHBM市場規模が2026年に約589億ドルから2029年には約1983億ドルに3倍以上拡大すると予測している。
宋社長は「NVIDIAを含むグローバル企業との協力を基に、次世代メモリ技術の競争力を持続的に強化していく計画である」と述べた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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