サムスン電子が第6世代高帯域幅メモリー(HBM4)の開発を完了し、本格的な量産前の準備段階に突入する。
2日、半導体業界によると、サムスン電子の半導体（DS）部門メモリー事業部は同日、HBM4に対するPRA（Production Readiness Approval）を終えた。 PRAは半導体開発工程のうち、6番目の段階で、最終段階である量産承認前の最後の段階だ。 PRA承認は事実上、製品開発が完了し、量産前の最終関門に到達したことを知らせる信号と見ることができる。
HBM4は前世代対比データ伝送速度(帯域幅)とメモリー容量、伝送通路(I/O)などが大きく向上した次世代HBMで、5世代であるHBM3E対比約60%以上速度が向上すると業界は展望している。 NVIDIA・グーグルなどビッグテック企業の人工知能(AI)プランを完成する核心半導体で、AI加速器、高性能コンピューティング(HPC)などでメモリー帯域幅および集積度を大きく引き上げることができる核心部品だ。
サムスン電子は現在、NVIDIAにHBM4の試作品（サンプル）を送り、品質テストを受けている。 サムスン電子が目標通りに年を越す前にHBM4を開発完了し、NVIDIAの品質テストの通過可否によって直ちに量産に乗り出すことができるようになった。 サムスン電子は直ちに量産に向け、大量生産体制も構築したという。
サムスン電子は6月、10ナノ級6世代Dラムである「D1c」の開発に成功した後、HBM4開発速度に弾みがついた。 ライバル会社に比べて一世代進んだD1cを適用し、より高性能のHBM4で競争力回復に乗り出すという戦略を駆使するという構想だ。 最近、第3四半期の業績カンファレンスコールなど様々なチャンネルを通じ、来年はHBM4の量産に注力するという自信を示している。 2023年10月にHBM4の開発を公式化して以来、約2年ぶりに開発を完了したわけだ。
サムスン電子は来年、主要供給会社に対するHBM4の供給を通じ、本格的なHBM4時代を主導する方針だ。 NVIDIAの場合、品質テストを通過すれば、次世代AI加速器である「Rubin」GPUに搭載が有力だ。
一方、ライバル会社のSKハイニックスは今年9月、HBM4の開発を完了し、量産体制を構築したと発表している。
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