SKハイニックスが清州（チョンジュ）M15Xファブ(工場)に核心人材を前進配置し、高帯域幅メモリー(HBM)生産基地の拡大・強化に速度を上げる。
来年も堅固な人工知能(AI)需要でHBM供給不足が予想されるだけに、先制対応を通じて「HBM1位」地位を強固にしようとするものと見られる。
15日、業界によれば、SKハイニックスは「Dラム生産基地」として新設中の忠北清州M15Xファブの稼動を控え、今月末から京畿利川（イチョン）キャンパスで勤める一部のDラム前工程関連チーム長・パート長級人員を差し出し、清州キャンパスに移動させると知られた。
M15Xは、SKハイニックスが20兆ウォン以上を投資し、来年11月の竣工を目標に建設している従来のM15の拡張ファブだ。 ここでDラムの中でもHBMを集中的に生産する予定だ。
まず、配置された人員はインフラ構築、装備セッティングなどM15X稼動前に必要な基盤作業に乗り出すものと見られる。 今後、彼らとM15X生産ラインで仕事をするエンジニア(チーム員級)は「社内キャリア成長プログラム(CGP)」で募集したり、必要な人材を会社が採用して発令する形で配置される展望だ。
現在、SKハイニックスはM11・M12・M15ファブが入っている清州キャンパスをNANDフラッシュ生産拠点として、M14・M16工場がある利川キャンパスをDラム生産拠点として運営している。
SKハイニックスが清州にもDラム生産基地構築のための作業に速度を上げるのは、増えるHBM需要に対応するためのものと見られる。
すでに既存のM15工場に後工程に該当するシリコン貫通電極(TSV)装備も入れたという。 TSVはHBMの生産に必要な先端パッケージング技術である。
これに先立ち、SKハイニックスのクァク·ノジョン代表取締役社長は2月、“すでにM15にTSV用装備を一部入れることにしたように、M15Xにも(HBM生産工程導入と関連して)柔軟に対応する”と明らかにしていた。
SKハイニックスは自社のDラムの売上構造で、HBMの割合が今年末に40%まで到達したことにより、引き続き安定的な売上と収益性の強化に乗り出す方針だ。 M15Xを通じた生産拡大などで、収率確保、技術開発に対応するという戦略だ。
一方、SKハイニックスは今年3月、HBM3E 8段をAI大手顧客であるNVIDIAに業界で初めて納品し始めた。 先月はHBM3E 12段製品を世界で初めて量産し始め、今四半期の出荷を目標にしている。
その後、来年上半期中にHBM3E 16段製品を供給し、第6世代であるHBM4 12段製品も来年下半期中に発売するという。
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