SKキーファウンドリはモバイルおよび電力半導体性能を向上させることができるように改善された第4世代0.18μm(マイクロメーター)BCD工程を発売すると11日、明らかにした。
第4世代工程は既存の第3世代対比性能が20%向上し、3.3V(ボルト)、5V、18Vなど多様な電力素子ゲート入力端を含む40V級までの電力素子を提供する。
サーバー及びノートパソコン用電力半導体(PMIC)、DDR5メモリー用PMIC、モバイルチャージャー、オーディオアンプ、車両用ゲートドライバーなど、様々な応用分野で必要に応じた仕様で使用できる。
また、トリミング用MTP·OTPメモリー、S RAMメモリーなどをオプションで提供し、顧客の製品設計を容易にする。
特に、自動車用電力半導体に使用できるよう、125度の高温環境で集積回路(IC)動作を保障する自動車品質規格「AEC-Q100」の1等級を満足した。
また、太いインターメタルダイアレクトリック(Thick IMD)オプションの提供により、1万5000V以上の高電圧に耐える自動車用アイソレーター製品の設計も可能である。
SKキーファウンドリのイ·ドンジェ代表は“改善された性能の新しい4世代工程を顧客に提供することになったことをうれしく思う”とし、“電力用半導体工程技術競争力を持続強化し、顧客との緊密な協力を通じ、今後高い成長が期待される多様な応用分野に事業を拡大していく”と明らかにした。
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