昨年末、SKハイニックスのP&T(Package & Test)組織の首長として赴任したチェ·ウジン副社長が、自社技術の優位を証明していくという目標を明らかにした。
11日、チェ副社長は自社ニュースルームに公開されたインタビューを通じ、“P&T技術革新は半導体覇権競争を分ける核心要素として浮上している”とし、“高性能チップ需要が急増する人工知能(AI)時代に先端パッケージング技術で最高性能メモリーを開発するのに寄与する”と述べた。
チェ副社長はこの30年間、メモリー半導体パッケージング研究開発に邁進し、最近、高帯域幅メモリー(HBM)に代表されるAIメモリーの核心技術として浮上したこの分野をリードしている。 P&Tは半導体の後工程を担当した組織で、ファブで前工程を終えたウェハーを持ってきて製品形態にパッケージングし、顧客の要求に合わせて動作するかどうかをテストする役割をする。
その中でもパッケージングはチップを電気的に連結し、外部衝撃から保護する従来の役割を越え、差別化された製品性能を具現する主要技術として浮上している。 垂直貫通電極(TSV)、MR-MUFなどの先端パッケージング技術はSKハイニックスのHBMに核心技術として適用されている。
チェ副社長は半導体覇権競争の核心軸であるAIメモリーを革新するため、「シグネチャーメモリー」開発を主要戦略として提示した。
チェ副社長は“AI時代に歩調を合わせてSKハイニックスは多様な機能、大きさ、形態、電力効率など顧客が望む性能を備えた「シグネチャーメモリー」に集中している”とし、“これを具現するためにHBM性能のキー役割をするTSV、MR-MUFなどの技術を高度化しながら、メモリー-非メモリーなど異種間結合を支援し、新しいタイプの半導体開発に寄与することになるチップレット、ハイブリッドボンディングなど多様なアドバンスドパッケージング技術を開発することに注力している”と強調した。
チェ副社長は2020年、HBM3の熱放出ソリューションの開発に挑戦して成功したことで、製品性能の向上に貢献し、昨年は材料費、経費などコスト削減を成し遂げ、ダウンターン危機の克服に貢献した。 また、チャットGPTブームで増えているDラムの需要に対応するため、迅速に生産ラインを確保することで、会社のAIメモリー先導の立地強化に貢献した。
彼は“昨年、AIメモリー需要が突然増え、即刻対応が難しい状況だった”とし、“だが、いち早くTSVパッケージングラインを活用してDDR5 Dラム基盤のサーバー向け3DSモジュール製品を追加投資なしに増産することに成功した”と自評した。
また、チェ副社長は最近、SKハイニックスが発表した米国インディアナ州パッケージング生産施設の建設計画の樹立過程で、ファブ構築や運営戦略を樹立するなど、核心的な役割を果たした。 米国パッケージング工場は本社で前工程を終えたHBMウェハーを持ってきて完成品を生産し、グローバル企業と活発な開発協力を継続する空間として構築される予定だ。
チェ副社長は“現在、ファブ設計と量産システムを具体化し、グローバル企業とのR&D協力生態系を構築するための準備を進行中”とし、“工場稼動が本格化すれば、会社のAIメモリー技術およびビジネスリーダーシップを強化するのに大きく寄与するだろう”と述べた。
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