SKハイニックスが次世代高帯域幅メモリー(HBM)を開発し、市場を主導している。
SKハイニックスは21日、人工知能(AI)向け超高性能Dラム新製品「HBM3E」を開発したと明らかにした。 これにより、性能検証の手続きを進めるため、顧客会社のNVIDIAにサンプルを供給し始めた。
HBMは複数のDラムを垂直に連結し、従来のDラムよりデータ処理速度を革新的に引き上げた高付加価値、高性能製品だ。 そのうち、HBM3Eは第5世代製品だ。
業界最大のHBM供給経験と量産成熟度を土台に来年上半期からHBM3E量産に入り、AI用メモリー市場で独歩的な地位を確固たるものにするというのが会社側の説明だ。
今回の製品はAI用メモリーの必須仕様である速度はもちろん、発熱制御、顧客使用便宜性などすべての側面で世界最高水準を満たした。
特に、速度面でHBM3Eは1秒当たり最大1.15テラバイト(TB)以上のデータを処理できる。 これはFHD（Full-HD）級映画（5GB）230本以上のデータを1秒で処理する水準だ。
また、アドバンスドMR-MUF最新技術を適用し、製品の熱放出性能を従来比10%向上した。 MR-MUFは半導体チップを積み上げた後、チップとチップの間の回路を保護するために液体形態の保護材を空間間に注入し、固める工程をいう。
下位互換性も備えており、顧客は第4世代HBM3を念頭に置いて構成したシステムでも設計や構造変更なしに新製品を適用することができる。 過去のバージョン製品と互換できるように構成されたIT·コンピューティングシステム内で新製品が別途修正や変更なしにそのまま使えることを意味する。
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