［写真＝サムスン電子］
サムスン電子が2nm(ナノメートル)ファウンドリ工程ロードマップを具体化した。 2025年モバイル、2026年高性能コンピューティング(HPC)、2027年車両用(オートモーティブ)へと量産範囲を拡大する計画だ。 2nm工程が最新の3nm第2世代工程より性能は12%、電力効率は25%高めることができるという判断からだ。
サムスン電子は27日（現地時間）、米シリコンバレーで、「サムスンファウンドリフォーラム2023」を開催した。 「境界を越える革新」をテーマに開かれた今回の行事では人工知能(AI)時代に最先端半導体限界を克服する多様な方法を提示した。
この日のフォーラムにはファウンドリ事業部の主要顧客とパートナーを含め、計700人余りが参加した。 38のパートナーは会場にブースを設け、最新のファウンドリ技術トレンドを共有した。
サムスン電子のチェ·シヨンファウンドリ事業部社長は基調演説を通じ、“多くの顧客会社が自社製品とサービスに最適化されたAI専用半導体の開発に乗り出している”とし、“AI半導体に最も最適化された技術を革新し、AI技術パラダイム変化を主導する”と述べた。
サムスン電子は同日、2025年の量産を予告した最先端2nm工程の細部計画と技術水準を公開した。 2nm工程を意味するSF2からモバイル製品を中心に量産を開始し、2026年にはHPC、2027年にはオートモーティブへと量産範囲を拡大する計画だ。 SF2はSF3（3nm第2世代工程）より性能は12%、電力効率は25%高めることができる。 面積は5%減る。 1.4nm工程は計画通り2027年量産に入る予定だ。
サムスン電子は2025年、消費者やデータセンター、オートモーティブ用の8インチ窒化ガリウム（GaN）電力半導体ファウンドリサービスを開始する。 GaNは、従来のシリコン（Si）半導体の限界を克服し、システム高速スイッチングと省電力を最大化する次世代電力半導体だ。
また、第6世代移動通信（6G）先行技術を確保するため、5nmRF（Radio Frequency）工程も開発し、2025年上半期に量産する。 この工程を導入すれば、従来の14nmより電力効率は40%以上高め、面積は50%減らすことができる。 サムスン電子はまた、現在量産中の8nm、14nmRF工程をモバイルだけでなく、オートモーティブなど多様な応用先に拡大する計画だ。
さらに、サムスン電子は市場と顧客の需要に迅速かつ弾力的に対応するため、シェルファースト（Shell-First）戦略を推進するという戦略だ。 シェルファースト戦略はクリーンルームを先制的に建設し、今後、市場需要と連携した弾力的な設備投資で安定的な生産能力を確保し、顧客需要に積極的に対応しようとする戦略を意味する。
サムスン電子は現在、京畿道平沢（ピョンテク）と米テイラーに半導体クリーンルームを先制的に建設している。 2027年にはクリーンルームの規模が2021年より7.3倍増える予定だ。 サムスン電子は下半期、平沢3ラインでモバイルなど多様な応用先製品を本格的に量産する計画だ。
建設中の米テイラー1ラインを下半期に完工し、来年下半期に本格的に稼動する。 また、国家産業団地として造成中の龍仁（ヨンイン）に生産拠点を拡大する計画だ。 サムスン電子は龍仁に建設されるシステム半導体クラスターに5つのファウンドリ工場を建設することにした状況だ。
サムスン電子はこの日、「サムスンアドバンスドファウンドリエコシステム(SAFE)」グローバルパートナーであるメモリー、パッケージ基板、テスト分野企業と最先端パッケージ協議体である「マルチダイ·インタグレーション(MDI)アライアンス」を発足すると明らかにした。
MDIアライアンスは2.5次元(2.5D)、3次元(3D)異種集積パッケージ技術生態系を構築して積層技術を革新し、パートナーと「最先端パッケージワンストップターンキーサービス」を提供する。 特に、高性能コンピューティング(HPC)·オートモーティブなど応用先によって差別化されたパッケージソリューションを開発し、多様な市場と顧客の要求事項を満足させる計画だと明らかにした。
<亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。>
