[SKシルトロン、英国IQEと提携してGaNウェハー市場に進出]
SKシルトロンは6日、亀尾本社でグローバルエピタキシャル(Epitaxial)ウェハーメーカーである英国IQEと戦略的協力協約(SCA)を締結したと11日、明らかにした。
SKシルトロンは今回の協約を通じ、無線通信用半導体と電力半導体素材として脚光を浴びているGaNウェハー市場に本格的に進出する。 両社は顧客会社の要求事項に従ってオーダーメード型GaNウェハーの共同開発およびアジア市場マーケティングを通じた市場拡大のために協力する。
IQEは先端化合物半導体ウェハーと素材ソリューションを全世界の半導体メーカーに供給しているグローバル企業だ。 技術参入障壁の高い化合物エピタキシャルウェハー市場で、グローバル1位を占めている。
GaNウェハーはシリコンウェハーとシリコンカーバイドウェハーの上にGaN薄膜を蒸着させる方法で製作される。 既存のウェハーに比べ、高電圧環境でも電力変換効率が高い特徴を持っている。 急速充電など高出力と耐熱性を要する電気自動車とスマート機器、5G基盤の高速ネットワーク装備など、様々な分野で使われている。
SKシルトロンは優れた製造·技術·品質競争力を基盤に、グローバル市場3位のシリコンウェハー事業と共に、先端半導体素材への事業拡張を通じて未来成長動力を持続強化している。
亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。
