[サムスンファウンドリ、2027年に1.4ナノ量産…TSMC追撃へ]
サムスン電子が最先端半導体工程で、台湾TSMCを追い越すファウンドリロードマップを発表した。 世界初のゲートオールアラウンド(GAA)技術基盤の3ナノ(㎚・10億分の1m)量産を発表してから約4ヶ月ぶりだ。 業界では2030年までにシステム半導体グローバル1位を達成するという「システム半導体2030」目標のために拍車をかけているという分析が出ている。
サムスン電子は3日(現地時間)、米シリコンバレーで「サムスンファウンドリフォーラム2022」を開き、このようなファウンドリ新技術と事業戦略を公開した。 3年ぶりにオフラインで開かれたこの日の行事にはファブレス顧客、協力会社、パートナーなど500人余りが参加した。
今後、△ファウンドリ技術革新 △応用先別の最適工程提供 △顧客オーダーメード型サービス △安定的な生産能力確保などを前面に出し、ファウンドリ事業の競争力を強化していく計画だ。
GAA基盤の工程技術革新を通じ、2025年2ナノ、2027年1.4ナノ工程を導入する。 GAAは3D構造のFinFETを超える次世代トランジスタ構造技術だ。 先立って、6月には世界初のGAA基盤の3ナノ1世代工程量産を始めたことがある。
サムスン電子が1.4ナノ量産計画を明らかにしたのは今回が初めてだ。 グローバルファウンドリ1位のTSMCは1.4ナノ工程の技術開発をしているが、まだ量産計画は明らかにしていないだけに、サムスン電子が最先端工程でリードすることになったという評価が出ている。
特に、3ナノGAA技術にサムスン独自のMBCFET(多重架橋チャンネルトランジスタ)構造を適用する一方、3D ICソリューションも提供し、高性能半導体ファウンドリサービスを提供するというのが会社側の説明だ。
2027年までにモバイルを除いた製品群の売上比重も50%以上に拡大する。 高性能コンピューティング(HPC)、車両用半導体、第5世代移動通信(5G)、モノのインターネット(IoT)など、高性能・低電力半導体市場に対する積極的な攻略を通じてだ。
また、2027年までに先端工程の生産能力を今年比3倍以上拡大する。 今後は「Shell First」ラインを運営し、市場需要に弾力的に対応するという戦略だ。
Shell Firstはクリーンルームを先制的に建設し、今後、市場需要と連携した弾力的な設備投資をいう。 米テイラーファウンドリ1ラインに続いて投資する2ラインの場合、Shell Firstに従って進める計画だ。
さらに、向上した性能と機能、迅速な納期、価格競争力まで備えたオーダーメード型サービスを強化し、新しいファブレス顧客を発掘する一方、Hyperscaler、スタートアップなど新規顧客も積極的に誘致していく。
一方、サムスン電子は米国を皮切りに、7日にヨーロッパ(ドイツ・ミュンヘン)、18日日本(東京)、20日韓国(ソウル)で順次サムスンファウンドリフォーラムを開催し、地域別の顧客オーダーメード型ソリューションを紹介する計画だ。 オフライン参加が難しいグローバル顧客のため、21日からオンラインでも行事内容を公開する。
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