SKハイニックスの米国子会社ソリダイムは、約60兆円規模の大規模NANDフラッシュ生産拠点の構築に着手する。長期的には総投資規模が130兆円を超える可能性も指摘されている。
28日、ブルームバーグ通信によると、ソリダイムは米国商務省と450億ドル（約60兆円）相当のメモリ半導体工場新設に向けた交渉を進めているという。
このプロジェクトの拠点としてはニューヨーク州などが有力視されており、早ければ来年にも着工する見通しだ。今後の事業拡大に伴い、全体の投資額は最大1000億ドル（約133兆円）に膨らむ余地がある。
ソリダイムは今回の投資実行に先立ち、米当局に対して中国・大連工場への米国製設備の持ち込み許可を強く求めていると伝えられている。
中国法人の設備を近代化して得られた収益を米国新工場への投資資金に充てる計画だ。米政府が昨年、サムスン電子とSKハイニックスの中国内生産ラインに対する設備持ち込み特例を廃止し、年間承認制度に移行した規制の壁を乗り越えようとしている意図があると解釈される。
ただし、ソリダイムはグローバルな候補地としてメモリ工場設立の妥当性を多角的に検討中であり、まだ確定した情報はないとの立場を示している。SKハイニックスが最近、ソリダイムの企業公開（IPO）推進を保留すると発表した直後に展開され、業界の注目が集まっている。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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