中国最大のDRAMメーカーCXMT(長鑫科技)が、高帯域幅メモリ(HBM)製品であるHBM3Eの生産を開始したとの報道がある。数ヶ月前まで、1世代前の製品であるHBM3さえも安定的に生産できないとの評価を受けていたCXMTにとって、このニュースは世界的な関心を集めている。
アメリカのIT専門メディア「ディインフォメーション」は、8月31日付で事情に詳しい関係者2名を引用し、CXMTがHBM3Eの少量生産を開始し、来年の生産量拡大を計画していると報じた。生産されたHBM3Eは、2社の顧客から品質テストを受けているという。アリババ傘下のAI半導体設計会社「平頭哥」と、中国のAI半導体企業キャンブリコンである。テストに合格すれば、早ければ2027年に発売される製品にCXMTのHBMが搭載される可能性が検討されている。
CXMTは、今年4月までHBM3の商業化スケジュールが不透明との評価を受けていた。台湾メディア「ディジタルタイムズ」は、CXMTのHBM3量産が2026年にも困難である可能性があると報じ、中国業界では発熱や低歩留まりの問題が安定的な生産を妨げているとの分析もあった。HBMはHBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4と世代を重ねて進化してきた。HBM3EはHBM3の性能を向上させた改良型製品である。CXMTはHBM3の大量生産段階を経ずに、蓄積された技術を活用してHBM3Eの少量生産段階に達したと考えられている。
関心は自然と設備に移る。HBMの生産には、DRAMを垂直に積み重ねて接合する熱圧着ボンダ(TCボンダ)が不可欠である。TCボンダ市場は事実上、韓米半導体が独占してきた。アメリカは2024年12月に対中半導体設備規制を強化し、中国企業への先端半導体設備の輸入を禁止した。その後、2025年5月には韓米半導体が中国の顧客に対してTCボンダの出荷を中止すると通知したとの報道があった。
IT専門ブロガーのノマドセミは、2025年6月に投稿した記事で、CXMTが韓米半導体のTCボンダを先行して購入し、備蓄している可能性があると分析した。半導体専門分析会社セミアナリシスも2026年6月にCXMTのHBMサプライチェーンを分析し、韓米半導体が2024年にCXMTに複数台のTCボンダを納品した事実を確認したと述べている。
これらの資料を総合すると、CXMTが2024年にすでに納品を受けた韓米半導体のTCボンダを輸出管理と出荷中止が本格化する前に確保し、今回のHBM3E少量生産に活用した可能性が示唆される。ただし、現在HBM3E生産ラインに韓米半導体の設備が実際に稼働しているかどうかは公式には確認されていない。CXMTと韓米半導体はともに関連の問い合わせに対してコメントを拒否している。
一方、CXMTは27日に上海証券取引所の科創板に上場した。上場を通じてCXMTは666億元(約13兆5700億円)を調達した。CXMTは調達した資金を生産能力の拡大や研究開発の拡充に使用すると発表している。特に投資の相当部分がHBMの開発に投入されると予想されている。
* この記事はAIによって翻訳されました。
