サムスン電子は、世界的なメモリ技術カンファレンス「FMS 2026」のアワードで次世代メモリ技術が認められ、2部門で受賞した。
6日、サムスン電子によると、同社はFMS 2026期間中に開催された「ベストオブショーアワード」で「V10 BV-NAND」により3D NAND革新賞を、「LPDDR5X-PIM」により次世代メモリ賞をそれぞれ受賞した。
V10 BV-NANDは、400層以上の超高層構造を実現した次世代V-NAND技術である。ウェハを垂直に接合するボンディングバーティカル（BV・Bonding Vertical）技術と、V-NANDセルを3層で接続する3スタック構造を採用し、保存容量を高めつつも電力消費と発熱を抑えることが特徴である。AI時代に急増するデータ保存需要に対応する次世代NAND技術として評価されている。
共に受賞したLPDDR5X-PIMは、世界初の低電力DRAMであるLPDDR5XにPIM（プロセッシングインメモリ）技術を適用した製品である。メモリ内部で直接演算を行いデータ移動を最小限に抑える構造で、システム性能と電力効率を同時に向上させることができる。特にAIアクセラレーターや高性能コンピューティング（HPC）などの大規模AI演算環境でボトルネックを減少させる重要なメモリ技術として注目されている。
サムスン電子は、今回の受賞を通じて次世代NANDとAIメモリ分野の技術リーダーシップを再度認められ、AI時代を先導するメモリ技術リーダーシップをさらに強化する計画である。
同社は、6日（現地時間）まで開催されるFMS 2026で次世代メモリロードマップやAIメモリソリューション、次世代ストレージ技術などを公開し、グローバル顧客と未来のメモリ技術ビジョンを共有する予定である。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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