5日、半導体業界によると、サムスン電子とSKハイニックスはアメリカ・カリフォルニア州サンタクララで開催された『FMS 2026』で次世代AIメモリ技術を公開した。HBM以降の市場主導権を確保するための技術方向が明確に分かれた。
サムスンが前面に出した技術はzHBMである。従来のHBMはAIアクセラレーターの横に取り付けるのに対し、zHBMはメモリをAIアクセラレーターの上に垂直に積み上げる。プロセッサーとメモリの距離が短くなることで、データ移動速度が速まり、電力消費も減少する。
サムスン電子はzHBMがHBM5に比べて最大8倍の性能を発揮できると説明した。電力対性能比（電性比）は最大3倍向上し、熱抵抗は半分以上低下できるという点も強調した。AIモデルが大きくなるほどデータ移動のボトルネックが増大するため、メモリをより近くに配置する方法で解決策を提示した形である。
カスタム設計も重要な要素である。サムスン電子はメモリとAIアクセラレーターの間のインターレイヤーに顧客別のIPを挿入できると説明した。顧客が希望するメモリ容量、アクセラレーター性能、電力条件に応じて構造を変更できるという意味である。
NANDでも3D戦略を強調した。サムスン電子は400層以上の10世代V-NANDであるV10 BV-NANDを公開した。ウェーハボンディング技術を適用し、前世代よりも集積度を約58%向上させた。オンデバイスAI用のzNAND-Oも同時に公開した。
SKハイニックスの方向性は標準化である。サンディスクと共に高帯域幅フラッシュ（HBF）の初の標準規格を公開した。HBFはHBMのように迅速にデータをやり取りしながらも、NANDを基盤に容量を増やす次世代ストレージ技術である。
HBFはHBMとソリッドステートドライブ（SSD）の間に位置する新しい層である。AI推論が普及するにつれて、データはより多く蓄積され、より頻繁に呼び出される必要がある。HBMだけでは容量の負担が大きく、SSDだけでは速度が不足する。SKハイニックスはこの隙間をHBFで埋める計画である。
今回の規格は最大512GBの容量を基準に設定された。帯域幅は毎秒約0.4TBから3.0TBまでの3つのグレードに分けられた。プロセッサーとの接続にはオープンチップレットインターフェースであるUCIeを採用した。GPUやCPUなど異なるチップと接続できる道を開いたのである。
SKハイニックスはFMSで10世代375層4D NANDも初めて公開した。前世代よりも電力対性能を2.5倍向上させた製品である。会社は来年初めにこれを基にした高性能・高容量eSSDの量産に乗り出す計画である。
半導体業界関係者は「ポストHBM競争は単一製品の仕様よりもAIシステム構造を誰が先に掌握するかの戦いである」とし、「サムスンは顧客別最適化、SKハイニックスはオープンエコシステムという異なる方法でAIメモリのボトルネックを狙っている」と述べた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。
