国土交通省は29日、光州軍公港跡地をホンナム地域の半導体先端国家産業団地の候補地に指定したことを受けて、民型배全南光州統合特別市長が歓迎の意を表明した。
民市長は、政府と関係機関の決断に感謝し、国家プロジェクトが成功裏に推進されるよう全力を尽くすと述べた。
民市長はこの日、報道資料を通じて「軍公港跡地の候補地指定は、我が国の半導体産業の新しい成長軸を構築する歴史的な出発点となるだろう」と規定した。
また、光州軍公港跡地の半導体国家産業団地は、生産・研究・企業支援・定住機能が融合した未来型先端都市として整備されるべきであり、政府・企業・関係機関とワンチーム体制を作り、半導体産業の新しい成長拠点として育成することを強調した。
国土交通省は、産業立地政策審議会の審議・議決を経て、光州軍公港跡地一帯8264㎡（250万坪）をホンナム地域の半導体先端国家産業団地の候補地に指定した。
さらに、国家産業団地の整備の必要性や企業の投資需要などを総合的に検討し、跡地に居住・教育・文化・交通機能が連携した企業型先端都市として発展させると発表した。
全南光州特別市も、サムスン電子やSKハイニックスなど企業の投資スケジュールに応じて、2030年6月の半導体生産施設の竣工を目指して全面的に行政支援を行うことにした。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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