サムスン電子とSKハイニックスは、市場の予想を上回り、7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）のサンプル供給を開始したことで、半導体後工程のエコシステムが揺れ動いている。次世代パッケージングの核心であるハイブリッドボンダー装置市場を先取りしようとする国内外企業間の覇権競争が本格化している。
22日、業界によると、国内半導体装置メーカーのハイブリッドボンダー供給時期が大幅に前倒しされる見込みである。HBM4Eからはハイブリッドボンディング技術の適用がチップ性能の成否を分けるためだ。ハイブリッドボンダーは、従来の熱圧着（TC）ボンダーとは異なり、チップの積層間に微細バンプを使用せずに積み上げる技術である。積層の厚さを減少させつつ、速度と電流効率を極限まで引き上げ、高性能HBMを実現するための重要な鍵とされている。
韓米半導体は、早ければ今年下半期にハイブリッドボンダーの量産体制に入る。TCボンダー市場で蓄積した精密制御技術を活かし、次世代市場でも主導権を維持する戦略と解釈される。
ハンファセミテックは、オランダのモーションコントロール専門企業プロドライブなどとの協力を基に、年内にハイブリッドボンダーの開発を完了する方針である。元々のスケジュールを数ヶ月短縮し、年内の供給網への参入を目指す。最近では、ダイとウェハーを整列・接合する自社装置『SHB2ナノ』をはじめ、プラズマ活性化モジュール、ゼウスの洗浄モジュールなどを一つにまとめた『ハイブリッドボンディング統合クラスターシステム』をSKハイニックスのラインに搬入し、クオリティテストを進めている。
サムスン電子の子会社セメスも、グループ全体の全面的な支援の下、ハイブリッドボンダー供給契約を完了した。特に、ウェハーとウェハーを一体で接合する『ウェハー・ツー・ウェハー（W2W）』技術を開発し、注目を集めている。個別チップを順次積み重ねる従来の『ダイ・ツー・ウェハー（D2W）』工程とは異なり、W2W方式はチップ間の物理的距離を極限まで縮めることができる。パッケージングの厚さを減少させつつ、信号伝達速度を向上させる効果をもたらす。
前工程中心のグローバル企業も後工程の世代交代局面に入り、領土拡張に加速をかけている。ウェハーに回路を描く前工程の微細化が物理的限界に達する中、チップを積層・パッケージングする後工程がメモリ性能を左右する新たな競争力として浮上した結果である。
アプライドマテリアルズは、オランダのベシと手を組み、ハイブリッドボンディングクラスター『キネックス』を前面に出して市場攻略に乗り出した。すでに台湾のTSMCを味方に確保した上、最近では重要顧客であるSKハイニックスから実際の量産ライン投入に向けた発注書（PO）を受け取ったと伝えられている。
業界関係者は「ハイブリッドボンダーは従来のTCボンダー方式を超え、パッケージングのパラダイムを根本から変える高度な技術である」とし、「HBM4Eはもちろん、次世代HBM5市場の成否を左右する決定的な要因であり、装置業界の巨大なブルーオーシャンであるため、主導権を握るための企業間の先取り競争がこれまで以上に激化するだろう」と予測している。
* この記事はAIによって翻訳されました。
