サムスン電子が昨年新設した高帯域幅メモリー(HBM)開発チームをDラム開発室傘下に再編する組織改編を断行した。
27日、業界によると、サムスン電子は同日、役員を対象に説明会を開き、組織再編を発表した。 半導体事業を担当するDS部門では、HBM開発チームなど関連人材がDラム開発室傘下の設計チーム組織に移動した。 これまでHBM開発チームを率いていたソン·ヨンス副社長が設計チーム長に選任された。
HBM開発チームの人材は、設計チームの傘下でHBM4、HBM4Eなど、次世代HBM製品や技術開発を続ける予定だ。
サムスン電子は昨年7月、組織再編を通じてHBM開発チームを新設した。 HBM専担組織を作り、関連人材を集めて技術競争力の強化に集中するための措置だった。
しかし、今回の組織再編を通じ、約1年ぶりにHBM関連人材を設計チーム所属に配置したのだ。 これについて業界では、HBM4など次世代HBM製品で相当部分の技術力を確保したという意味だと解釈している。
サムスン電子は、HBMで徐々に成果を出している。 市場調査業者のトレンドフォースは2026年、グローバルHBM市場でサムスン電子が30%を上回るシェアを記録するものと予想した。
また、サムスン電子は先行研究・開発(R&D)組織であるSAIT(旧総合技術院)を「ラボ」単位に移管したという。
サムスン電子は今週中に組織再編を終え、来月にグローバル戦略会議を開き、来年度の事業を点検する計画だ。
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