サムスン電子がファウンドリ(半導体委託生産)「息抜き」戦略に速度を上げる。 高帯域幅メモリー(HBM)の反騰のための新しい枠組みに乗り出し、不振が続いているファウンドリは国内に続き、米国投資まで減らしている状況だ。
22日、業界によると、米商務省は20日（現地時間）、半導体支援法に基づき、サムスン電子に最大47億4500万ドル（約6兆8800億ウォン）を直接支援すると発表した。 4月に予備取引覚書(PMT)を締結したのに続き、補助金支給を最終確定したのだ。
補助金の規模は4月のPMT当時の64億ドルから約17億ドル(26%)減少した。 サムスン電子がPMT締結当時より投資計画を減らし、補助金規模も減ったものと見られる。 サムスン電子は当初、2030年までに計450億ドル（64兆5200億ウォン）を米国の半導体施設に投資する計画だったが、最近、需要などを考慮し、80億ドル程度の投資額を調整したという。
市場調査会社のトレンドフォースによると、今年第3四半期基準でサムスン電子のファウンドリシェアは9.3%で、前四半期比2.6%ポイント下落した。 一方、TSMCは同期間、2.6%p上昇した64.9%を記録し、両社の格差はさらに広がった。 アップル、クアルコム、エヌビディアなど核心顧客がTSMCに集中する反面、サムスンファウンドリは自社システムLSIのモバイルアプリケーションプロセッサー(AP)もまともに消化できずにいる。 これにより、来年初めに発売するギャラクシーS25にもエクシノスを搭載しない見通しだ。
サムスン電子のファウンドリ事業は受注不振などで昨年2兆ウォンを超える赤字を出したものと推定され、今年も数兆ウォンの赤字を出すものと予想される。 これに対し、サムスン電子はファウンドリの一部設備の稼動を中断するなど稼動率調節に乗り出した状態だ。
サムスン電子の平沢（ピョンテク）キャンパス第4工場(P4)も当初、メモリーとファウンドリの両方を生産するところとして設計したが、ファウンドリ事業の不振が長期化すると、先端メモリー専用生産ラインだけを構築する方向に変更された。
サムスン電子は第3四半期の実績カンファレンスコールでも“市況と投資効率性を考慮してライン転換に優先順位を置いてファウンドリ投資を運営中”とし、“今年の施設投資(CAPEX)規模は減少する展望であり、収益性を考慮して慎重で効率的に推進する計画”と明らかにした。
2022年に着工したテイラー工場も当初今年下半期の稼動が目標だったが、速度調節に乗り出し、現在は稼動時点が2026年に延ばされた状態だ。 先立って、サムスン電子の李在鎔（イ·ジェヨン）会長も10月ロイター通信とのインタビューで、テイラープロジェクトに対して“変化する状況により、少し難しくなった”と述べたりもした。
一方、SKハイニックスは当初の計画より多くの補助金を確定した。 米商務省は19日（現地時間）、SKハイニックスに最大4億5800万ドル（約6639億ウォン）の直接補助金を支給すると発表した。 これと共に、最大5億ドル（約7248億ウォン）の政府融資も支援する。 当初知られていた直接補助金規模の4億5000万ドル（約6500億ウォン）を上回る水準だ。
SKハイニックスは4月、インディアナ州に半導体パッケージング生産基地を建て、パデュー大学など現地研究機関と半導体研究·開発に協力するという計画を明らかにしたことがある。 インディアナ工場では2028年下半期から次世代HBMなどAIメモリー製品が量産される予定だ。 SKハイニックスは同工場に38億7000万ドル（5兆6000億ウォン）を投資する。
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