サムスン電子が昨年、半導体業況悪化にも関わらず、第4四半期のDラム占有率で高い水準を示した。
27日、市場調査会社のオムディアによると、サムスン電子の昨年第4四半期のDラムシェアは45.7%で、1位を記録した。 これは2016年第3四半期の48.2%以後、最も高い水準だ。
直前四半期（38.7%）に比べては7%P増加し、2位のSKハイニックス（31.7%）とのシェア格差を14%Pに広げた。 マイクロンは19.1%のシェアで、3位に名を連ねた。
サムスン電子のDラムの売上げは第3四半期の52億1300万ドルから第4四半期は80億ドルへと53.5%増えるなど、6四半期ぶりに初めて上昇した。 SKハイニックスの売上げは同期間、46億3400万ドルから55億5500万ドルへと19.9%伸びた。
また、サムスン電子の第4四半期のDラム平均価格はモバイルDラム価格の上昇に支えられ、前四半期比12%上昇し、出荷量は前四半期比16%増加した。
特に、DDR5や高帯域幅メモリー(HBM)など高付加価値製品の売上が大幅に増え、売上上昇に寄与したという分析だ。 サムスン電子はSKハイニックスと共に、HBM市場を事実上二分している。
今年もDラムの売上は前年比増加するものと予想される。 同日、サムスン電子は業界で初めてDラムチップを12段まで積んだ第5世代HBM（HBM3E）の開発に成功し、上半期中に量産する予定だと明らかにした。 今年はHBM生産のため、シリコン貫通電極（TSV）の生産能力（キャパ）を業界最高水準に増やす計画だ。
一方、昨年第4四半期のグローバルDラム市場の総売上高は175億600万ドルと集計された。 これは直前四半期対比30%増加した水準だ。 Dラム全体の売上げは昨年第1四半期に93億6700万ドルと最安値を記録して以来、第2四半期111億700万ドル、第3四半期134億6900万ドルと上方曲線を描いている。
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