昨年、半導体業況悪化にも関わらず、サムスン電子が第4四半期のDRAM占有率を高めた。
27日、英調査会社オムディアによると、サムスン電子の昨年第4四半期のDRAMシェアは45.7%で1位を記録した。これは2016年第3四半期の48.2%以後、最も高い水準だ。
直前四半期（38.7%）に比べては7%P増加し、2位のSKハイニックス（31.7%）とのシェア格差を14%Pに広げた。マイクロンは19.1%のシェアで3位に名を連ねた。
サムスン電子のDRAMの売上げは、第3四半期の52億1300万ドルから第4四半期は80億ドルへと53.5%増えるなど、6四半期ぶりに初めて上昇した。SKハイニックスの売上げは同期間、46億3400万ドルから55億5500万ドルへと19.9%伸びた。
また、サムスン電子の第4四半期のDRAM平均価格は、モバイルDRAM価格の上昇に支えられ、前四半期比12%上昇し、出荷量は前四半期比16%増加した。
特に、 DDR5や世代の高性能DRAM（HBM）など高付加価値製品の売上が大幅に増え、売上上昇に寄与したという分析だ。サムスン電子は、SKハイニックスと共にHBM市場を事実上二分している。
今年もDRAMの売上は前年比増加すると予想される。同日、サムスン電子は業界で初めてDRAMチップを12段まで積んだ第5世代HBM（HBM3E）の開発に成功し、上半期中に量産する予定だと明らかにした。今年はHBM生産のため、シリコン貫通電極（TSV）の生産キャパを業界最高水準に増やす計画だ。
一方、昨年第4四半期のグローバル DRAM 市場の総売上高は175億600万ドルと集計された。これは直前四半期対比30%増加した水準だ。DRAM全体の売り上げは、昨年第1四半期に93億6700万ドルと最安値を記録して以来、第2四半期に111億700万ドル、第3四半期に134億6900万ドルを記録するなど、上昇を続けている。
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