SKハイニックスが「321段4D NAND」サンプルを公開し、業界で初めて300段以上のNAND開発進行を公式化した。 SKハイニックスは2025年上半期から321段NANDを量産する計画だ。
SKハイニックスは8日(現地時間)、米国サンタクララで開幕した「フラッシュメモリーサミット2023」で、321段1Tb(テラビット)TLC(Triple Level Cell)4D NANDフラッシュ開発経過と開発段階のサンプルを公開した。
業界で300段以上NANDの具体的な開発経過を発表したのはSKハイニックスが初めてだ。 SKハイニックスは321段NANDの完成度を高め、2025年上半期から量産するという戦略だ。
SKハイニックス関係者は“現存最高層の238段NANDを通じて蓄積した技術力を土台に、321段NAND開発を順調に進めている”とし、“積層限界を再び突破し、SKハイニックスが300段台NAND時代を開き、市場を主導するだろう”と述べた。
321段1Tb TLC NANDは前世代の238段512Gb(ギガビット)対比生産性が59%高くなった。 データを貯蔵するセルをさらに高く積み上げ、一つのチップで従来より大きな容量を具現し、ウェハー一枚で生産できる全体容量が増加したためだ。
SKハイニックスは今回の行事を通じ、次世代NANDソリューション製品であるPCIe第5世代インターフェースを適用した企業用SSDとUFS 4.0も紹介した。 チャットGPTで触発された生成型人工知能(AI)市場の成長で、より多くのデータを早く処理・貯蔵するために要求されている高性能・高容量メモリー需要を狙ったものと分析される。
SKハイニックスは開発技術力を基に、次世代のPCIe第6世代とUFS 5.0開発に着手し、業界の技術トレンドを先導する方針だ。
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