[「無から有を創造した革新」サムスン電子、3ナノファウンドリの本格出荷]
サムスン電子がGAA（ゲートオールアラウンド）方式の3ナノメートル（nm、1ナノメートルは10億分の1m）パウンドリを世界で初めて披露する。
サムスン電子が25日、京畿道華城キャンパスのV1ライン(EUV専用)で、次世代トランジスタGAA(Gate All Around)技術を適用した3ナノファウンドリ製品の出荷式を開催した。
出荷式では3ナノ製品の出荷場面が初めて外部に公開される予定だ。 同日公開される製品は、複数のファブレス（半導体設計）会社に供給されるという。
同日の行事には、産業通商資源省の李昌洋（イ·チャンヤン）長官、国内協力会社の代表、ファブレス関係者、サムスン電子の慶桂顯（キョン・ギェヒョン）DS部門長(社長)兼代表取締役とサムスン電子の役職員など100人余りが参加し、3ナノGAA研究開発と量産に参加した役職員たちを激励した。
サムスン電子・ファウンドリ事業部は「革新的な技術力で世界最高に向かって進む」という自信と共に、3ナノGAA工程量産と先制的なファウンドリ技術で事業競争力を強化していくという抱負を明らかにした。
サムスン電子・ファウンドリ事業部のチョン·ギテ技術開発室長(副社長)は技術開発経過報告を通じ、ファウンドリ事業部、半導体研究所、グローバル製造·インフラ総括など、事業部を越えた協業で技術開発限界を克服した点を強調するなど、開発から量産に至るまでの過程を説明した。
特に、慶代表は“サムスン電子は今回の製品量産で、ファウンドリ事業に一線を画した”とし、役職員を激励し、“FinFETトランジスタが技術的限界に達した時、新しい代案になるGAA技術の早期開発に成功したのは無から有を創造する革新的な結果”と述べた。
李長官は祝辞で、“激しい微細工程競争でリードするため、サムスン電子とシステム半導体業界、素材·部品·装備業界が力を合わせてほしい”と要請し、“政府も先週発表した「半導体超強大国達成戦略」を土台に、民間投資支援、人材養成、技術開発、素材·部品·装備生態系の構築に全面的な努力を惜しまない”と強調した。
先立って、サムスン電子はGAAトランジスタ構造研究を2000年代初めから始め、2017年から3ナノ工程に本格適用し、先月世界で初めてGAA技術が適用された3ナノ工程量産を公式発表した。
サムスン電子は3ナノGAA工程を高性能コンピューティング（HPC）に初めて適用し、主要顧客とモバイルSoC製品など多様な製品群に拡大適用するために協力している。
一方、サムスン電子は華城キャンパスで3ナノGAAファウンドリー工程製品の量産を開始し、今後、平沢キャンパスまで拡大していく予定だ。
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