[サムスン電子、世界最大規模の平澤2ラインの稼動…EUV Dラムの本格的量産]
サムスン電子が世界最大規模の半導体生産ラインの平澤(ピョンテク)2ラインの稼動に入る。 平沢2ラインは半導体業界で初めてEUV(極紫外線)工程を適用した次世代Dラムの量産を本格化する。 ファウンドリ分野に続き、メモリー事業でもEUV量産に初めて成功し、超微細工程を掲げた「半導体超格差」を持続的に続けていく方針だ。
30日、サムスン電子は京畿道平澤2ラインでEUVの工程を適用した先端3世代10ナノ級(1z)LPDDR5モバイルDラムの量産に入ると明らかにした。
平沢2ラインは延べ面積12万8900平方メートルで、サッカー場16つ分の大きさに達する世界最大規模の半導体生産ラインだ。 平沢2ラインは2018年8月に発表した180兆ウォン投資計画の一環で建設されたもので、全30兆ウォン以上の大規模投資が執行される予定だ。 直接雇用する人材だけで約4000人、協力会社の人材と建設労力を含めると、約3万人以上の雇用創出が期待される。
今回のDラムの量産を皮切りに、平澤2ラインは次世代Vナンド、超微細ファウンドリ製品まで生産する先端複合生産ラインとして4次産業革命時代の核心的な役割を担うことになる。
今回出荷された16Gb LPDDR5モバイルDラムはメモリ量産製品としては初めてEUV工程が適用された。 EUVは波紋が極度に短い光を利用し、ウェハに半導体回路図を細密に描く技術である。 回路がもっと微細ほど性能が高くなり、電力消耗が減るため、10ナノ以下の超微細半導体生産の核心的な要素に数えられる。
この製品は従来のフラッグシップスマートフォン用12GbモバイルDラムに比べ、16%速い1秒当たり6400Mbの動作速度を具現した。 1秒当たりフルHD級の映画10編に該当する51.2GBを処理できる水準だ。
8つのチップだけで16GB製品を構成することができ、既存の製品に比べ、30%薄くパッケージを作ることができるということも長所だ。 部品数が多い5世代移動通信(5G)スマートフォンやフォルダブルフォンのように厚さが重要な製品に最適のソリューションになるものと会社側は期待している。
16Gb LPDDR5 Dラムを武器に、サムスン電子は来年、5Gフラッグシップスマートフォン市場を先取りするという計画だ。 高温信頼性を確保し、電装用製品まで使用先も拡大する予定だ。
サムスン電子はファウンドリ(半導体委託生産)分野でもEUVの先端工程の導入を巡って、TSMCと熾烈な競争を繰り広げている。 昨年、世界で初めてEUVの工程を適用した7ナノ半導体の量産に成功したのに続き、今年2四半期からは5ナノ工程の量産に突入し、業界1位のTSMCを猛追撃している。
追われるTSMCも奔走である。 25日、TSMCは2ナノ工程の建設計画を公式化した。 来年、研究開発(R&D)センターの運営を皮切りに、早ければ2023年に量産が始まるものと観測される。 サムスン電子はまだ2ナノ工程のロードマップを発表してないが、業界では2022年が3ナノ量産の時期になるものと見ている。
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