政府の反応を受けた半導体生産加速…SKハイニックス、用イン・清州での増産に全力

用インの初クリーンルームを3ヶ月前倒し…2段階ファブ8月着工

清州M15Xの早期量産に続きパッケージングファブまで生産拡大

SKハイニックスが参加している用イン市処仁区元三面用イン半導体クラスター一般産業団地工事現場の様子。 [写真=聯合ニュース]

政府が半導体生産基地の早期稼働を強調する中、SKハイニックスが用インと清州で生産能力の拡大に拍車をかけている。用インの1期ファブの初クリーンルームの稼働時期を前倒しし、2段階の建設にも着手する。清州では次世代DRAM生産ラインを早期に稼働させた後、先進的なパッケージング生産施設まで拡充する。AIメモリ供給不足に対応するための企業の投資拡大と政府の半導体インフラの加速が連動している。
17日、業界によると、SKハイニックスは京畿道用イン市処仁区元三面に整備中の半導体クラスター1期ファブの初クリーンルームを2027年2月に開設する計画である。従来予定していた5月よりも3ヶ月前倒しのスケジュールである。1期ファブの建設には約31兆ウォンが投入される。2～6段階のクリーンルームは2030年末までに順次構築する計画である。
用イン現場では2段階の工事も進行中である。SKハイニックスは昨年4月に2段階の骨組みの基礎工事に着手した。今月には建物の着工に入る予定である。2段階には3つのクリーンルームが設置される。会社はこれにより今後の生産能力を拡大する基盤を確保する計画である。
政府も半導体生産施設の構築に加速をかける方針を継続している。李在明大統領は昨年7月6日に開催された半導体クラスター民間共同点検会議で、産業団地の造成過程で行政手続きを順次進めるのではなく、可能な手続きを並行して行い、時間を短縮すべきだと注文した。当時、李大統領は用イン半導体クラスターについても事業進行の速度が十分でないと指摘した。  

用イン半導体クラスター(左)・清州M17の鳥瞰図 [写真=SKハイニックス]

SKハイニックスの清州への投資も加速している。清州M15Xは当初の計画よりも前倒しで昨年10月に初クリーンルームを開設した。今年第1四半期からウェーハの投入を開始し、現在は設備を順次設置している。M15Xには高帯域幅メモリ(HBM)を含む次世代DRAM生産能力を確保するために約20兆ウォンが投入される。
清州では前工程だけでなく後工程への投資も続いている。SKハイニックスは19兆ウォンを投資して先進的なパッケージングファブP&T7を建設している。今年4月に本格的な工事に着手し、2027年末にクリーンルームの完成を目指している。P&T7はM15Xで生産したDRAMをHBMとして製品化する後工程の拠点となる。
SKハイニックスが用インと清州の投資スケジュールを前倒しする背景には、AIデータセンターの拡大に伴うメモリ需要の増加がある。会社は最近の公示で、AI学習と推論、クラウドサービスの普及により先進的なメモリ需要が増加していると説明した。ハイパースケーラーが長期的なAIデータセンターへの投資を示唆する中、HBMなどAIメモリに対する長期供給契約の需要も高まっていると明らかにした。  

[写真=アジュ経済DB]

用インと清州の役割も分かれている。用インはHBMとプレミアムDRAMを中心に大規模な前工程生産能力を確保する拠点である。清州はM15Xで次世代DRAMを生産し、P&T7で先進的なパッケージングを行う構造である。SKハイニックスは両地域の生産施設を連携させてAIメモリ供給能力を拡大する計画である。
政府が半導体生産施設の許認可と基盤施設の構築を急ぐ中、SKハイニックスも既存の生産拠点の稼働時期を前倒ししている。業界ではAIメモリ需要が予想以上に早く増加しており、生産施設を確保する時点自体が競争力になるとの分析が出ている。
ある半導体業界関係者は「HBMは顧客が望む時期に必要な量を供給できるかが重要になってきた」と述べ、「用インと清州の生産能力をいかに早く確保するかが今後の供給対応力に影響を与えるだろう」と語った。



* この記事はAIによって翻訳されました。

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