SKハイニックスがメモリー業界で初めて量産用「High NA極紫外線(EUV)」装備を利川（イチョン）M16ファブ(Fab)に搬入し、記念行事を進行したと3日、明らかにした。
High NA EUV装備は、従来のEUVより大きいNA（開口数）を適用し、解像度を大幅に向上させた次世代露光装備だ。 最も微細な回路パターンの具現が可能で、線幅の縮小および集積度の向上に核心的な役割を果たす。 開口数はレンズが光をどれだけ多く集めることができるかを示す数値で、値が大きいほどより精密な回路パターンを具現することができる。
SKハイニックスは“激しいグローバル半導体競争環境で顧客の要求に応じる先端製品を速かに開発し供給できる基盤を用意することになった”とし、“パートナー社との緊密な協力を通じ、グローバル半導体サプライチェーンの信頼性と安定性を一層強化していく”と明らかにした。
半導体製造業者が生産性と製品性能を高めるためには微細工程技術の高度化が必須だ。 回路をより精密に具現するほど、ウェハー当たりのチップ生産量が増え、電力効率と性能も共に改善されるためだ。
同社は2021年、10ナノ級第4世代(1a)DラムにEUVを初めて導入して以来、最先端Dラム製造にEUVの適用を持続的に拡大してきた。 今回導入した装備はオランダASMLの「ツインスキャンEXE:5200B」で、High NA EUV初の量産用モデルだ。 既存のEUV(NA 0.33)対比40%向上した光学技術(NA 0.55)で、1.7倍さらに精密な回路形成が可能で、2.9倍高い集積度を具現することができる。
SKハイニックスは今回の装備導入を通じ、既存のEUV工程を単純化し、次世代メモリー開発速度を高め、製品性能と原価競争力を同時に確保する方針だ。
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