サムスン電子が平沢（ピョンテク）キャンパス第4工場(P4ライン)工事を再開し、高帯域幅メモリー(HBM)などDラム競争力強化に拍車をかけている。 人工知能(AI)市場が本格的に拡大し、次世代半導体に対する投資を強化したのだ。
20日、業界によると、サムスン電子は18日、サムスンE&Aと平沢P4ラインのPH4仕上げ工事契約を締結した。 契約規模は約9096億ウォンで、工事期間は2027年7月末までと予定されている。
今回の契約は、サムスン電子の平沢P4ライン工事再開の信号弾と見ても差し支えない。 サムスン電子は平沢に計393万㎡(約120万坪)規模の半導体キャンパスを建設しているが、2030年までに計6つの生産ライン(P1ライン~P6ライン)と付属棟を順次建設している。 現在、第1~3工場は稼働中だ。
P4ラインは当初、現場開設を1月に開始し、6月には工事の着工が予定されていたが、見送られたことがある。
工事中断は時々刻々と変わる半導体業況と関連している。 当初、P4のフェーズ2(PH2)、PH4にはファウンドリ(半導体委託生産)の生産ラインが建設されると計画されたが、ファウンドリ業況の悪化で建設計画が延期され、昨年上半期から事実上工事を中断した。
実際、今年に入ってメモリー半導体の需要が大幅に増え、PH4設備計画をDラム中心に修正したという。 特に、P4Dラム投資を最先端工程である10ナノ級6世代（1c）工程だけで進める予定だ。
PH2はDラム、NAND、ファウンドリ、パッケージングなど多様なラインで活用する「ハイブリッドファブ」への転換が検討されもした。 まだPH2をDラム生産拠点として活用するか、ハイブリッドファブに転換するかをめぐって内部的に悩みが続いているという。
先立って工事を進行中のP4のPH1はNANDと10ナノ級4世代(1a)Dラムを共に生産するハイブリッド構造に変更された後、機械設備の仕上げ段階に入り、PH3は6月から機械設備が投入されていると伝えられた。
一方、P4は今後、サムスン電子の次世代Dラムである10ナノ級6世代（1c）Dラムの主要生産基地になると同時に、HBM生産の前進基地になる見通しだ。
HBMは複数のDラムダイを「TSV(シリコン伝統管極)」技術で垂直積層して帯域幅を高め、遅延時間を減らしたメモリーだ。 この時に使われるDラムチップの積層に必須的に必要な技術がD1cのような最新世代Dラム工程だ。 HBMの高集積化と性能向上にD1c技術が欠かせないわけだ。
サムスン電子は先月30日、D1cの量産承認を出したことがある。 今回のP4ラインのPH4構築契約を通じ、下半期から始まる中長期メモリー半導体の競争力強化に弾みがつく見通しだ。
業界関係者は“サムスン電子は失われた顧客信頼を回復するため、短期実績よりは中長期的観点で新たな枠組みを作っている様子”とし、“P4ラインの構築も下半期以後のHBMなど次世代半導体競争のための段階と見ることができる”と述べた。
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