SKハイニックスが京畿道龍仁（ヨンイン）の半導体クラスター内の第1基ファブ(fab・半導体生産工場)の着工に入った。 龍仁クラスターに計4基のファブを順次造成する計画で、第1基ファブは2027年5月竣工を目標とする。
25日、SKハイニックスのニュースルームによると、SKハイニックスは前日、龍仁半導体クラスターの第1基ファブの着工に入った。
SKハイニックスは当初、来月から第1基ファブの着工に入る計画だったが、龍仁市が予定より迅速に許認可手続きを進め、21日に建築を許可し、着工時点を計画より操り上げた。
龍仁市は昨年4月、SKハイニックスと「生産ライン早期着工推進と地域建設産業活性化のための業務協約」を結んだのに続き、建築許可タスクフォース(TF)を構成、許認可手続きに速度を上げた。
京畿道龍仁市ウォンサム面一帯の415万平方メートル（約126万坪）規模の敷地に構築される龍仁半導体クラスターは、SKハイニックスのファブ（約60万坪）と素材·部品·装備業者の協力化団地（14万坪）、インフラ敷地（12万坪）で造成される半導体産業団地だ。
SKハイニックスはここを高帯域幅メモリー（HBM）をはじめとする次世代Dラムメモリーの生産拠点とし、今後急増するAIメモリー半導体の需要に適期に対応し、中長期成長基盤を構築する予定だ。
SKハイニックス側は“クラスター内の50ヶ余りの素材·部品·装備企業と共に、韓国半導体生態系の競争力を向上させる役割も遂行する予定”と説明した。
SKハイニックスは国内の素材·部品·装備中小企業の技術開発と実証、評価を支援するための「ミニファブ」を第1基ファブの内部に構築する方針だ。
ミニファブは半導体素材·部品·装備などを実証するために300㎜ウェハー工程装備を備えた研究施設であり、これを通じて実際の生産現場と類似した環境を協力会社に提供し、独自技術完成度を高められるよう支援するという計画だ。
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