サムスン電子の半導体事業を担当するデバイスソリューションDS部門が危機克服のために頭を突き合わせ、突破口の模索に乗り出した。
サムスン電子は26日、京畿道華城（ファソン）事業場で、チョン·ヨンヒョン部門長（副会長）の主宰で、上半期の半導体部門のグローバル戦略会議を行った。
この日の会議にはメモリ事業部のイ·ジョンベ社長とファウンドリ事業部のチェ·シヨン社長、システムLSIのパク·ヨンイン社長など核心役員が参加したと知られた。 また、チョン部門長の指示で、例年の120人規模より少ない人員が参加し、極秘に迅速な意思決定が行われた。
先月半導体首長に上がったチョン部門長主宰の下に初めて開かれる今回の会議では「危機克服戦略」と「未来競争力向上」などが主に議論されたと推定される。 また、事業部長間のマクロ克服戦略と事業実績現況および展望、来年の事業計画などに対する意見が交わされたものと予想される。
最近、サムスン電子はメモリやシステム、ファウンドリ（委託生産）など、全半導体の全分野で経営の不確実性が高まっている。
昨年、半導体事業で15兆ウォンに達する赤字を出し、今年に入って反騰に成功したが、高帯域幅メモリー(HBM)とファウンドリ事業では競争会社であるSKハイニックスに主導権を渡すなど、危機に追い込まれ突破口の用意が切実な状況だ。
市場調査会社のトレンドフォースによると、昨年、HBMのシェアで、サムスン電子は38%のシェアでSKハイニックス（53%）に首位を譲った。 また、第1四半期のファウンドリ占有率は11%に下がり、台湾TSMC(61.7%)との格差がさらに広がった。
これに今月7日、全国サムスン電子労働組合の主導で、創立以来初めてのストライキに直面するなど、労組リスクまで重なった状況だ。
危機突破のためにサムスン電子はNVIDIA HBM品質認証など、メモリ事業部の事業現況と下半期量産を始める2世代3ナノメートル(nm·10億分の1m)工程など、ファウンドリ事業部の核心ロードマップを集中的に扱ったと見られる。 サムスン電子は最新工程をモバイルアプリケーションプロセッサー（AP）など次世代モバイル製品に適用する方針だ。
これと共に、次世代HBMと呼ばれるDラム技術である「コンピュータエクスプレスリンク(CXL)」の活用戦略も具体化したものと予想される。 サムスン電子は最近、グローバルオープンソースソリューション企業のレッドハットが認証したCXLインフラを業界で初めて独自の研究施設に設けた。 CXLは、中央処理装置（CPU）とグラフィック処理装置（GPU）など、プロセッサーとメモリ半導体を素早く連結する装置だ。
今回の戦略会議に先立ち、24~25日の2日間、DS部門内のメモリ事業部とファウンドリ事業部、システムLSIなどは個別に販売戦略会議を行った。 実務者級の役職員が参加し、上半期の事業を振り返り、下半期の戦略などを議論したという。
サムスン電子は毎年6月と12月、各部門長の主宰の下に主要経営陣と海外法人長などが参加するグローバル戦略会議を開き、事業部門別・地域別に懸案を共有し、事業目標と営業戦略などについて意見を交わしている。
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