サムスン電子が今年下半期中にQLC(Quad Level Cell)基盤のNANDフラッシュ製品を早く開発し、人工知能(AI)用の高容量ストレージ市場に積極的に対応すると21日、明らかにした。
この日、サムスン電子はニュースルームを通じ、第9世代V NAND企画・開発担当役員のインタビューを公開した。 インタビューで、商品企画室のヒョン·ジェウン常務は“AI用高容量ストレージサーバーに対する関心が高まっている”とし、このように述べた。
ヒョン常務は“AI用データセンター電力費用に制限があり、単一ストレージサーバー当たりの高容量メモリが必要だ”とし、“チェックポイント(モデル学習過程中に現在の状態を保存する特定地点)維持の重要性とマルチモーダルAIモデル拡散で、高性能ストレージ需要も増えている”と説明した。
続けて“今後、生成型AIを越え、自ら学習するマシンのデータを処理するさらに多くのストレージ空間が必要だろう”とし、“したがって、中長期観点でNANDフラッシュ市場は堅調な流れを見せるだろう”と付け加えた。
また、“サムスン電子はAIサーバー用製品を中心にポートフォリオ構成を強化している”とし、“中長期的にはオンデバイスAI、オート用製品、エッジデバイスなど、次世代応用製品のポートフォリオを拡大している”と伝えた。
AI時代には超高速並列演算を支援する高帯域幅メモリ(HBM)の他にも、多様なメモリーソリューションが必要だ。
特に、言語モデルデータ学習のために大規模なデータを入れる空間が必要であり、推論段階でアルゴリズムが速く動作するための高性能ストレージが必須だ。
サムスン電子は先月、業界で初めて1Tb（テラビット）TLC（Triple Level Cell）第9世代V NANDの量産を開始し、NAND市場の支配力を強固にした。
第9世代V NANDは、業界最小の大きさのセルと最小モールド(セルを動作させる層)の厚さが具現され、以前の世代より約1.5倍高いビット密度を備えている。
<亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。>
