世界半導体1位奪還を予告したサムスン電子が早い歩みを見せている。 米国に数十兆ウォン規模の工場投資を発表したのに続き、サムスン電子の李在鎔（イ·ジェヨン）会長がグローバルサプライチェーンの点検に乗り出すなど、事業競争力の強化に拍車をかけている。
李会長は26日（現地時間）、ドイツ・オーバーコッヘンにある「ZEISS」本社を訪問し、Karl Lamprecht CEOなど経営陣と両社の協力強化策について話し合った。
ZEISSは先端半導体生産に必須なEUV(極紫外線)技術関連核心特許を2000つ以上保有しているグローバル光学企業で、ASMLのEUV装備に搭載される光学システムを独占供給している。 EUV装備1台に入るZEISSの部品は3万つ以上と伝えられている。
李会長は、ZEISS経営陣と半導体核心技術トレンドおよび両社の中長期技術ロードマップについて議論し、ZEISSの工場を訪問して最新半導体部品および装備が生産される姿を直接確認した。 今回の会合で、サムスン電子とZEISSはファウンドリとメモリー事業の競争力強化に向け、今後、EUV技術や先端半導体装備関連分野での協力を拡大することにした。
サムスン電子はZEISSとの技術協力を通じ、次世代半導体の△性能改善 △生産工程最適化 △歩留まり向上を達成し、事業競争力を引き上げることができるものと期待される。 サムスン電子はEUV技術力を基に、ファウンドリ市場で3ナノ以下の超微細工程市場を主導し、年内にEUV工程を適用し、6世代10ナノ級Dラムを量産する計画だ。
ZEISSは2026年までに480億ウォンを投資して韓国にR&Dセンターを構築する方針で、ZEISSが韓国研究開発(R&D)拠点を設けることにより、両社の戦略的協力は一層強化される展望だ。
李会長の今回の動きは、長期不況トンネルを過ぎた半導体業界の本格的な「アップターン（上昇局面）」を迎え、競争力を確保し、全世界の半導体1位を奪還するための動きとみられる。 サムスン電子・DS部門のキョン·ゲヒョン部門長（社長）は先月の定期株主総会で、“今年を再跳躍の年とし、今後2-3年以内に半導体世界1位の地位を取り戻す”と約束したことがある。
特に、サムスン電子はファウンドリ部門でまだ1位のTSMCと占有率格差が大きいが、今後、3ナノ以下の超微細工程競争力を保有したサムスンの恩恵が拡大するものと予想される。 サムスン電子は2022年、世界で初めてGAA（ゲートオールアラウンド）技術を適用した3ナノの量産に成功するなど、技術力を基に売上を拡大している。
市場調査会社のオムディアによると、ファウンドリ市場は昨年の1044億ドルから2026年には1538億ドルへと成長するものと見られ、このうち、3ナノ以下は同期間74億ドルから331億ドルへと拡大するものと見られる。
サムスン電子は、システム半導体分野で確固たる事業競争力を確保するための未来投資も続けている。
昨年、歴代最大のファウンドリ受注残高を達成したサムスン電子は、△3ナノ以下の超微細工程技術の優位持続 △顧客企業の多角化 △先制的なR&D投資 △果敢な国内外施設投資 △半導体生態系の育成を通じ、ファウンドリ事業を未来の核心成長動力に拡大している。 米国の人工知能(AI)半導体専門企業であるアンバレラ（Ambarella）の5ナノ自動運転車用半導体を生産しており、AIスタートアップ企業であるグロック（Groq）、テンストレント（Tenstorrent）の次世代4ナノAIチップも生産する予定だ。
サムスン電子は未来技術のリーダーシップ確保のためのR&D投資も断行している。 2030年までに約20兆ウォンを投資し、器興（キフン）事業場に「次世代半導体R&D団地」を造成している。 該当R&D団地は未来の半導体技術を先導する核心的な役割を果たすことになる見通しだ。
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