SKハイニックスが次世代HBM(高帯域幅メモリー)Dラムロードマップの設計過程を革新することで、HBM市場の主導権を継続するという強い意志を示した。
SKハイニックスは28日、自社ニュースルームを通じ、今年、人工知能(AI)インフラ組織傘下のHBM PI(プロセス革新)担当役員に任命されたクォン·オンオ副社長のインタビューを掲載した。
HBMは、複数のDラムチップを積み上げ、TSV（垂直貫通電極）などデータ通路技術で連結し、データ処理速度を従来のGDDRメモリーよりはるかに速く引き上げた次世代Dラムだ。 SKハイニックスは現在、第5世代HBM（HBM3E）の量産を開始し、NVIDIAなどAI半導体メーカーへの供給を開始した。
クォン副社長はDラム開発研究委員だった2022年、低電力メモリーのLPDDRにHKMG（ハイ-Kメタルゲート）工程を導入する成果を出した。 これを土台に、超高速・超低電力特性を備えた第7世代低電力メモリー(LPDDR5T)Dラム開発に成功し、昨年、SKグループ「SUPEX追求賞」を受賞した。
クォン副社長は今年、技術に対する力量と洞察力を基に、SKハイニックスのHBM技術ロードマップを完成しなければならない重責を引き受けた。 彼は“SKハイニックスのHBMに対する市場期待が大きい状況で重責を引き受けることになり、大きな責任感を感じる”と述べた。
SKハイニックスは昨年、HBM開発から製品・事業化まで全過程の効率性と製品完成度を高めるために部門別に散らばっていた機能を一つに集めて「HBMビジネス」組織を新設した。 これを巡り、製品中心の組織を構成するのは珍しい事例であり、HBM 1位企業という地位を守ろうとする動きだと、SKハイニックス側は説明した。
クォン副社長はHBMビジネス組織の最大の強みとして高い効率性を挙げた。 開発初期の意思決定過程を短縮し、組織間の早い調整と実行が可能であり、開発段階から顧客会社の声を聞いて顧客が望む部分を製品に反映できるようになったという説明だ。
このようなSKハイニックスの組織改編は国際半導体標準協議機構(JEDEC)標準に合わせて量産していた既存のDラムとは違って、HBMはNVIDIA・AMD・インテルなど顧客会社の要求に合わせて製品性能向上がなされる場合が多いためだ。
クォン副社長は“HBMという一つの目標を共有するHBMビジネス組織が構成されたおかげで、技術力量を集中して発揮できる環境が用意された”とし、“SKハイニックス職員も目標指向的な視野を持つことができるようになった”と強調した。
それと共に、“HBMは難しく複雑な先行技術製品であり、最も技術集約的なDラムだ”とし、“HBMは今後、顧客会社が望む価値を盛り込んだ製品で、専門化・顧客オーダーメード化されるだろう”と予測した。
HBM以降のAIメモリーの進化方向についても予測した。 クォン副社長は“AI用メモリーはデータセンター用の他にも特定目的に合わせて性能・効率性を上げたASIC(特化半導体)や顧客製品に最適化したオンデバイス形態に拡大されるだろう”とし、“HBMの他にも多様なDラムがAI用メモリーとして使われるだけに、多様な条件で特化した素子開発が必要な時点”と述べた。
このような特化素子と次世代Dラム開発のためにクォン副社長はSKハイニックス構成員に“果敢に挑戦し、失敗してもその経験を土台に再挑戦する姿勢が重要だ”と注文した。
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