サムスン電子が人工知能時代に必要な次世代Dラムとデータ相互接続(Interconnect)技術の青写真を公開した。 これにより、HBM(高帯域メモリ)Dラムリーダーシップを取り戻し、中央処理装置(CPU)・グラフィック処理装置(GPU)・DRAM間の相互連結速度を劇的に引き上げ、超巨大AI運営のためのスーパーコンピュータ(HPC)とクラウド装備市場の主導権を確保しようとするものと分析される。
サムスン電子は26日(現地時間)、米カリフォルニア州マウンテンビューで開かれたグローバル半導体学会「MemCon 2024」で、AI時代を導く次世代メモリーソリューションを大挙公開した。
サムスン電子のチェ·ジニョク米州メモリー研究所長(DSRA-Memory·副社長)とファン·サンジュンDRAM開発室長(副社長)はキーノート(基調演説)を通じ、“AI時代を迎え、CXL(コンピュータエクスプレスリンク)基盤のメモリーと高性能・高容量のHBMソリューションがメモリー業界革新を主導している”と述べた。
それと共に、“サムスン電子はメモリー容量の側面ではCXL、帯域幅(時間当り伝送できるデータ量)の側面ではHBM技術が未来AI時代を主導すると見る”と付け加えた。
CXLはシステム半導体とメモリー、またはメモリーとメモリーを直接（ダイレクト）連結し、多数の半導体を一つの半導体であるかのように活用できるようにする次世代入出力（I/O）技術だ。 従来の入出力技術であるPCIエクスプレスは超巨大AI運営に必要な莫大なデータをハードウェアシステム内でやり取りする際にデータボトルネック現象が発生したが、CXLを導入すれば、このようなボトルネック現象を減らし、超巨大AIの規模を拡大し、回答速度を引き上げるものと期待される。
実際、チェ副社長は同日のキーノートで、CXL基盤のサムスン電子の多様な革新ソリューションを発表した。 Dラムを直接連結するCMM（CXL Memory Module）-D（DRAM）技術とともに、NANDフラッシュ（SSD）とメモリーを直接連結するCMM-H（Hybrid）、メモリープーリング（割り当て）ソリューションのCMM-B（Box）などを大挙公開した。
特に、CXLメモリープーリングは複数のサーバーで使用するメモリーを一つにまとめて管理する技術で、メモリー資源を効率的に管理でき、システムの安定性を高めることができるため、未来のスーパーコンピュータ構築に欠かせない技術として浮上していると、サムスン電子側は強調した。
チェ副社長は“サムスン電子の多様なCXLソリューションでパートナーがメモリー容量と帯域幅を向上している”と、“持続的な技術革新とパートナーと協力を通じてAI時代の半導体発展を導く”と抱負を明らかにした。 ここでパートナーとは、AI・クラウド事業を営むグローバルビッグテックをいうものと分析される。
続いて、ファン副社長がサムスン電子のDラムとHBMソリューション技術開発現況と未来リーダーシップ確保について説明した。
彼は“現在、サムスン電子が量産している3・4世代HBM(HBM2E、HBM3)に続き、12段5世代HBM(HBM3E)と128GB容量のDDR5 DRAMを今年上半期に量産する”とし、“今後量産する6世代HBM(HBM4)にはバッファダイ(Buffer Die、バッファのない)ロジック工程を導入し、AI半導体の需要急増に対応する”と述べた。 HBMにバッファダイロジック工程を導入することで、サムスン電子は電力効率性を40%向上させ、遅延速度を10%下げることができると期待している。
一方、サムスン電子はNVIDIA半導体カンファレンスのGTC 2024に続き、MemCon 2024でも12段5世代HBMの実物を試演し、量産準備を終えたことを強調した。
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