サムスン電子が英国半導体設計業者のArmと提携し、ゲートオールアラウンド(GAA·Gate All Around)工程技術競争力を強化する。 先端工程競争力を強化する一方、オーダーメード型半導体市場攻略のための協業生態系を構築し、2027年までに非モバイル部門を全体ファウンドリ売上の半分以上に引き上げるという計画も出した。
サムスン電子のファウンドリ事業部はGAA基盤の最先端工程にArmの次世代システムオンチップ（SoC）設計資産（IP）を最適化すると21日、明かにした。
これにより、ファブレス(fabless・半導体設計専門会社)企業の最先端GAA工程に対するアクセシビリティを高め、次世代製品開発にかかる時間と費用を最小化する計画だ。
サムスン電子・ファウンドリ事業部のケ·ジョンウクデザインプラットフォーム開発室副社長は“Armとの協力拡大を通じ、両社の顧客に生成型AI時代にふさわしい革新を支援することになった”とし、“サムスン電子とArmは今回の設計技術最適化を通じ、ファブレス顧客に最先端GAA工程基盤の超高性能、超低電力Cortex-CPUを披露する”と述べた。
GAA技術は工程微細化によるトランジスタ性能低下を克服し、データ処理速度と電力効率を高める次世代半導体核心技術であり、次世代ファウンドリ「ゲームチェンジャー」と評価されている。 サムスン電子は2022年6月、世界で初めてGAAを3ナノ工程に導入した。
今回の協業は数年間Arm中央処理装置（CPU）IPをサムスンファウンドリの多様な工程に最適化して量産した協力の延長線だとサムスン電子は説明した。
両社間の協業で、ファブレス顧客は生成型AI時代にふさわしいSoC製品開発過程でArmの最新型CPU接近が容易になる。
サムスン電子とArmの協力は、ファブレス企業に適期に製品を提供しながらも、優れたPPA（Power:：費電力、Performance：性能、Area：面積）を具現することに焦点を合わせる。
今回のパートナーシップで、サムスン電子のGAA工程を基盤にArmの次世代コアテックス(Cortex)-X CPUのアクセシビリティが最大化される。 両社は協力初期から設計と製造最適化を同時に処理するDTO（Design-Technology Co-Optimization）を採択し、Armの最新設計とサムスン電子のGAA工程のPPA改善効果を極大化した。
また、協業をきっかけに両社は様々な領域で協力を拡大する。 次世代データセンターやインフラオーダーメード型半導体のための2ナノGAAと未来生成型AIモバイルコンピューティング市場を狙ったAIチップレットソリューションを順次披露する計画だ。
サムスン電子は3ナノGAA工程の安定的な量産とともに、2ナノ工程開発にも拍車をかけ、2027年までにファウンドリ事業全体の売上で非モバイルが占める割合を50%以上に引き上げるという目標も出した。
市場調査機関のオムディアによると、グローバルファウンドリ市場は2023年の1043億7000万ドルから2026年には1538億3000万ドルへと、毎年13.8%ずつ成長するものと予想される。
ファウンドリ市場の成長の核心は5ナノ以下の最先端工程だが、特に3ナノは昨年から毎年64.8%ずつ成長し、2026年全体ファウンドリ売上の24.2%を占めるものと予想される。
サムスン電子は昨年第4四半期の業績発表で、3ナノおよび2ナノGAA技術開発を公開している。 先端工程技術の改善で、3ナノGAA工程の量産と共に、2ナノ開発、AI加速器など急速に成長する応用先の売上比重を拡大し、2027年までにファウンドリ事業でモバイル以外の製品群の売上比重を半分以上に高める計画だ。
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