サムスン電子が次世代3次元（3D）Dラムの開発に力を入れるメモリー研究開発（R&D）組織を新設し、超格差技術の競争力確保に乗り出す。
28日、業界によると、サムスン電子は米シリコンバレーにある半導体米州総括（DSA）に最先端のメモリー研究開発組織を立ち上げた。 同組織は、3D Dラムを先制的に研究し、開発する予定だ。 シリコンバレーの優秀な人材を積極的に迎え入れ、多様な半導体生態系と協力に乗り出す。
最近、メモリー業界は同じ面積に集積度を高め、性能がさらに優れた3D Dラムの開発に力を入れている。
サムスン電子は2013年、世界で初めて3次元垂直構造ナンド（3D V-NAND）の商用化に成功した経験をもとに、Dラムでも3次元垂直構造開発の先取りを目標にしている。
昨年10月、「メモリーテックデー」行事で、サムスン電子は次世代10ナノ以下のDラムで既存の2D平面ではなく、3D新構造を導入する計画を明らかにしている。 また、昨年、日本で開かれた「VLSIシンポジウム」でも3D Dラム研究成果が盛り込まれた論文を発表し、3D Dラムの実際の半導体で具現した詳細なイメージを提示したことがある。
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