サムスン電子の李在鎔（イ·ジェヨン）会長が19日、サムスン電子の器興（キフン）・·華城（ファソン）キャンパスを訪れ、次世代半導体研究開発(R&D)団地建設現場を見学し、半導体戦略を点検した。
李会長は対内外危機が続く中、もう一度半導体事業が跳躍できる革新の転機を用意しなければならないと要請し、危機にも揺れない技術リーダーシップと先行投資の重要性を強調した。
李会長は経営陣懇談会で次世代半導体技術開発現況の報告を受け、メモリー・ファウンドリ・ファブレスシステム半導体など半導体全分野に対する競争力向上方案についても議論した。
この日、サムスン電子・半導体研究所で行われた経営陣懇談会には▲キョン·ゲヒョンDS部門長 ▲イ·ジョンベメモリー事業部長 ▲チェ·シヨンファウンドリー事業部長 ▲ソン·ジェヒョクDS部門CTOなどDS部門経営陣が参加した。
海外出張中の一部の経営陣はテレビ会議で出席し、▲先端工程開発現況 ▲技術力確保方案 ▲供給網対策など主要懸案について深く議論した。
器興キャンパスに建設されるサムスンの次世代半導体R&D団地は2030年までに約20兆ウォンが投入される大規模プロジェクトだ。 この団地が完成すれば、サムスン電子の未来半導体技術を先導する核心研究基地の役割を果たす見通しだ。
特に、研究、生産、流通が一ヶ所で行われる複合型研究団地で、先端技術開発の結果が量産製品に早く適用できる高度のインフラを備える予定だ。
一方、李在鎔会長は半導体技術人材を激励し、危機を克服するための歩みを続けている。
3月、半導体研究所の新入博士研究員たちとの懇談会では“半導体研究所を量的・質的な側面で2倍に育てていく予定”と言及し、R&D力量強化の重要性を強調したことがある。
これより先立つ2月には天安（チョンアン）・温陽（オニャン）キャンパスを訪ね、先端パッケージ技術が適用された半導体生産ラインを調べ、“難しい状況だが、人材養成と未来技術投資に少しも動揺があってはならない”と頼んだ。
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