サムスン電子が超一流技術を基盤に、次世代メモリー市場でも超格差を継続する。
サムスン電子のイ·ジョンベメモリー事業部長（社長）は17日、サムスン電子半導体ニュースルームに掲載した寄稿文「サムスンメモリーの革新、無限の可能性を開く」で、このように明らかにした。 寄稿文ではサムスン電子が1993年からこの30年間、グローバルナンバーワンメモリーソリューション供給者としての地位を守ってきているとし、砲門を開いた。
イ社長は“最近、超巨大人工知能(AI)はメモリーの新しい応用先として急浮上しており、メモリー半導体に対する要求事項も変化している”とし、“処理装置(CPU)とグラフィック処理装置(GPU)のデータ処理を分担する新しいメモリーソリューションが必要な時点”分析した。
そして今後、業界を先導するための3つの軸として△限界に挑戦する技術革新 先端工程および高付加価値製品生産比重の拡大と研究·開発(R&D)投資強化 △顧客、パートナーとの強力な協力関係を強化すると伝えた。
まず、DラムとNAND型フラッシュの集積度を極限の水準に高め、顧客オーダーメード型製品を含めた差別化したソリューションを提案し、新しい市場を開いていく。 すでに現在、11ナノ級Dラムを開発中だ。
また、第9世代Vナンドはダブルスタック(Double Stack)構造で具現できる最高段数を開発している。 来年初めの量産のための動作チップの確保に成功した。
今後、高帯域幅メモリー（HBM）など大容量Dラムラインナップも拡大する。 現在、HBM3を量産しており、次世代製品であるHBM3Eを開発している。 このほか、サーバーストレージも応用先によって容量を変化させており、ペタバイト級に拡張できるペタバイト(PB)ソリッドステートドライブ(SSD)も披露する予定だ。
イ社長は“投資を持続し、需要変動性とメモリー製品の長い生産リードタイムを克服するため、メモリーライン運営を高度化していく”とし、“サムスン電子メモリー事業を始めた器興（ギフン）キャンパスに先端半導体R&Dラインを構築するなど、未来のための投資を継続する”と強調した。
また、彼は“パートナー社との協力を拡大し、商品企画、技術開発、品質全般にわたり新しい製品と市場を開拓する”とし、“同時にDラムとNANDフラッシュの革新的技術準備のために素材、装備など全世界パートナー社との協力を強化する”と説明した。
一方、サムスン電子は20日、米国シリコンバレーで「サムスンメモリーテックデー2023」を開催する。 ここでは最新のメモリー半導体技術と製品、未来戦略を紹介する。
<亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。>
