サムスン電子・メモリー事業部のファン·サンジュンDRAM開発室長（副社長）が2025年までに次世代先端高帯域幅メモリー(HBM)製品であるHBM4を開発するという抱負を明らかにした。
ファン副社長は10日、サムスン電子ニュースルームに載せた寄稿文を通じ、“世の中の新しい地平を開いているチャットGPTはパラメータ(parameter)が1750億つに達する数多くのデータを基盤に学習された言語モデルであるため、円滑なサービス提供のためには高性能半導体が必須”とし、“巨大なデータ処理のためにはメモリー半導体の高性能、高帯域幅、低遅延などの性能を極大化しなければならず、サムスンは過去40年間、業界を先導して積み上げてきた独歩的な技術ノウハウを保有している”とし、このように自信を示した。
ファン副社長は“サムスン電子は2016年に世界で初めて高性能コンピューティング(HPC)向けHBM事業化を始め、AI向けメモリー市場を本格的に開拓してきた”とし、“現在も顧客と密接に協業し、AI・HPC生態系を牽引しており、今後9.8Gbps速度のHBM3E製品を開発し、顧客会社にサンプル供給を始める”と述べた。
続いて“2025年を目標にしたHBM4製品に適用するための高温熱特性に最適化された非導電性接着フィルム(NCF)組立技術とハイブリッドボンディング(HCB)技術も準備中”と強調した。 ハイブリッドボンディングはチップとチップの間の空間を完全になくした後、すぐに接合する技術で、現在、HBMメーカーから注目されている新工程だ。
サムスン電子は今年初め、先端パッケージ技術の強化や事業部間のシナジーを極大化するため、AVP（Advanced Package）事業チームを発足させた。 ファン副社長は“HBMと共に、2.5次元、3次元先端パッケージソリューションを含む先端オーダーメード型ターンキーパッケージングサービスも提供し、AI・HPC時代に最高のソリューションを披露する計画”と述べた。
先月発表した32ギガビット(GB)DDR5 Dラムに対しては“40年前に開発した64キロビット(Kb)Dラム対比容量が50万倍大きく、同一パッケージサイズで16GB Dラム対比2倍容量を具現し、消費電力も10%改善できるようになった”とし、“今回の製品で、最大1テラバイト(TB)モジュールの具現が可能になり、高容量を必要とするデータセンターだけでなく、今後MRDIMM、CXLなど次世代メモリーソリューションでも使える基盤になるだろう”と自信を示した。
メモリーにシステム半導体の演算機能を加えたPIM（プロセッシングインメモリー）製品に対する期待感も示した。 ファン副社長は“HBM-PIMはDラム内部にデータ演算機能を搭載し、メモリ帯域幅のボトルネック現象を改善し、音声認識など特定作業量で最大12倍の性能向上と4倍の電力効率を達成した”とし、“最近はCXLインターフェースを使用するCXL DラムでPIMアーキテクチャを構成する研究も同時に進めている”と説明した。
ファン副社長は“サムスン電子は過去40年間、絶え間ない変化と革新を通じて技術超格差を達成してきた”とし、“今後も超格差DNAを土台に、技術的限界を克服し、世の中にない多様なメモリーソリューション製品を開発していく”と述べた。 また、“Dラム市場の大きな変曲点になる10ナノ以下工程を基盤に、AI時代に世の中が望む超高性能、超高容量、超低電力メモリー製品を提供する”と繰り返し強調した。
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