[サムスン電子“来年次世代Dラム·2024年第9世代V-NANDの量産”]
サムスン電子が世界で初めて第5世代10ナノメートル（㎚·10億分の1メートル）級のDRAMを来年量産し、2030年までに1000段V-NANDを開発する。 技術力で「超格差」を維持し、追撃しているライバル会社との差を広げるという宣言だ。
サムスン電子のイ·ジョンベメモリー事業部長(社長)は5日(現地時間)、米カリフォルニア州シリコンバレーで開かれた「サムスンテックデー」で、“来年、5世代10ナノ級DRAMを生産し、2024年には9世代V-NANDを量産する計画”と発表した。
「サムスンテックデー」はサムスン電子が2017年から次世代半導体技術を披露する場だ。 DRAMは例えば携帯電話の写真撮影後、保存以前の段階に利用される短期記憶半導体であり、NANDは撮影後の保存する時に使われる長期記憶半導体だ。
サムスン電子は今年下半期に第8世代V-NANDを生産したのに続き、来年には第5世代10ナノ級DRAMを生産し、2年後には第9世代V-NANDを量産する計画だと具体的なロードマップを提示した。
現在、DRAMは第4世代10ナノ級が生産中であり、データを保存するセル(cell·保存空間)を垂直に積む形態のV-NANDは第7世代を量産中だ。
今後量産される第8世代V-NANDは、第7世代より単位面積当たりに保存されるビット数が42%向上した。 第5世代10ナノ級Dラムは、従来の同じ仕様の第4世代より大きさは小さく、性能は優れている。
サムスン電子は第8世代V-NAND 512Gb TLC(Triple Level Cell·1セルに3ビット保存)製品も公開し、512Gb TLC製品の中で、業界最高水準だと説明した。
サムスン電子は2030年までにデータ保存装置であるセルを1千段まで積むV NANDを開発すると目標も明らかにした。 これは現在、176段の第7世代V-NANDより5倍以上保存できる。
自律走行(AD)、先端運転支援システム(ADAS)など、車両用メモリー市場への参入10年になる2025年には、該当市場で1位を達成するという目標も提示した。 さらに、システム半導体製品間のシナジー極大化を通じ、「統合ソリューションファブレス」に生まれ変わるという意志も表明した。
サムスン電子・システムLSI事業部のパク·ヨンイン部長(社長)は“私たちはシステムオンチップ(SoC)、イメージセンサー、モデムなど900余りのシステム半導体ポートフォリオを保有している”とし、“多様な製品の主要技術を有機的に融合し、第4次産業革命時代を主導する「統合ソリューションファブレス」になるだろう”と述べた。
システムLSI事業部も同日、システムオンチップと車両用5Gモデムなど、次世代システム半導体製品も公開した。 パク社長は“第4次産業革命時代には超知能化、超連結性、超データが要求される”とし、“このためにサムスン電子は人間水準に近接する性能を持つ最先端システム半導体を開発する”と強調した。
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