[サムスン電子、業界初のUFS 4.0フラッシュメモリーの開発に成功]
サムスン電子が次世代UFS(Universal Flash Storage)4.0規格の高性能エンベデッドフラッシュメモリーを業界で初めて開発した。
4日、サムスン電子によると、国際半導体標準化機構「JEDEC」は3日(米現地時間)、UFS 4.0規格を承認した。UFS 4.0はデータ伝送帯域幅が従来のUFS 3.1の2倍の23.2Gbps(秒当たりギガビット)に拡大された。これによって、データをさらに早いスピードで貯蔵して読み取ることができる。
UFS 4.0は高解像度コンテンツ、大容量モバイルゲームなど処理するデータが増えている最新スマートフォンなどモバイル機器に適用されるものと見られる。サムスン電子はこれに加わり、今後の車両向け半導体やメタバースなど、様々な機器に拡散されるものと期待している。
UFS 4.0メモリには、サムスン電子が独自開発したUFS 4.0コントローラ、7世代Vナンドが搭載された。連続読み取り・連続書き込みの速度はそれぞれ毎秒4200MB(メガバイト)、2800MBだ。これはそれ以前の世代製品であるUFS 3.1と比較し、それぞれ2倍、1.6倍水準だ。
新製品は従来の製品より電力効率が約45%改善された。「アドバンスドRPMB(Advanced Replay Protected Memory Block)」機能が適用され、データを安全に保護するための性能も1.8倍向上された。
サムスン電子は側は"UFS 4.0メモリを横に11mm、縦13mm、高さ1.0mmのコンパクトなパッケージで具現し、モバイル機器デザインの便宜性と空間活用性を高めた"、"最大1TB(テラバイト)容量まで提供する計画"と説明した。
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