[サムスン電子、脳に似た半導体「ニューロモルフィック」チップ技術ビジョンの提示…ハーバード大学研究陣と成果]
サムスン電子と米ハーバード大学研究陣が次世代の人工知能半導体技術である「ニューロモルフィック(Neuromorphic)」チップについての未来ビジョンを提示した。
26日、サムスン電子によると、23日、世界的学術誌「ネイチャーエレクトロニクス(Nature Electronics)」にハム・ドンヒサムスン電子総合技術院フェロー兼ハーバード大学教授、パク・ホングンハーバード大学教授、ファン・ソンウサムスンSDS社長、キム・ギナムサムスン電子副会長が執筆した関連論文が掲載された。
該当論文は脳神経網でニューロン(神経細胞)の電気信号をナノ電極に超高感度で測定し、ニューロン間の連結地図をコピーし、これをメモリー半導体につけて入れ、脳の固有機能を再現するニューロモルフィックチップの技術ビジョンを提案した。
超高感度の測定を通じた神経網地図のコピーはニューロンを浸透するナノ電極の配列を通じて行われる。ニューロンの中に浸透することにより、測定感度が高くなり、ニューロンの接点で発生する微小な電気信号を読み取ることができる。このため、その接点を見つけて神経網を地図化することができる。これはサムスン電子が2019年からハーバード大学研究チームと持続協業してきた技術である。
サムスン電子はコピーされた神経網地図をメモリー半導体に付けて入れて、各メモリーがニューロン間の接点の役割をする全く新しい概念のニューロモルフィック半導体を提案した。 また、測定信号でメモリープラットフォームを直接駆動し、迅速に神経網地図をダウンロードする技術的観点も提示した。
究極的に人の脳にある約100兆つのニューロン接点をメモリー網で具現するためにはメモリー集積度を極大化しなければならないが、論文は3次元のフラッシュ積層技術と高性能Dラムに適用されるTSV（シリコン貫通電極）を通じた3次元パッケージングなど最先端半導体技術の活用も提案した。
一方、サムスン電子は既存に保有している半導体技術を基盤に、ニューロモルフィックの研究に引き続き集中し、次世代人工知能半導体分野でも技術リーダーシップを確保していく計画だ。
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