[サムスン電子"次世代ナンドにダブルスタック適用…256段までも可能"]
サムスン電子が次世代Vナンド(メモリー半導体)に「ダブルスタック」技術を導入し、256段積層まで可能だと明らかにした。
1日、サムスン電子によると、ハン・ジンマンメモリー事業部マーケティングチーム専務は先月30日に開かれた「サムスン電子の投資者フォーラム2020」で、"次世代Vナンドにダブルスタック技術を適用する予定"と述べた。 サムスン電子は来年に7世代Vナンドを量産する計画だ。
現在、6世代Vナンドはシングルスタック技術で128段を積層するが、ダブル技術を適用する場合、256段積層まで可能だ。
ナンドフラッシュは基本貯蔵単位である「セル」を垂直に高く築くことが技術力で、積み上げる段数を増やすほど貯蔵できるデータ量が多くなる。
ダブルスタック技術はシングルスタック技術より積層数を急速に高めることができるが、もっと多くの工程過程が入り、単価が上がるという短所がある。
ハン専務は"実際の積層段数は消費者需要と市場の状況などを考慮し、内部戦略によって変わるだろう"とし、"どれほど積むことができるかどうかではなく、現時点で市場に最適化された段数が何かの問題"と述べた。
また、"ナンドフラッシュの需要はスマートフォンの5G転換とサーバSSDの需要で、2024年まで約30∼35%規模の年平均成長率を見せ、Dラムはモバイルとサーバーを中心に15∼20%の年平均成長率を示すだろう"と述べた。
そして、"新型コロナは苦しい経験だったが、デジタル転換を加速し、Dラムやナンドフラッシュなどのメモリー半導体の需要を高めた"、"サムスンの差別化された極紫外線(EUV)システムを基盤に、先端工程を先導し、市場の高い需要に応える"と強調した。
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