サムスン電子は次世代高帯域幅メモリ（HBM）市場で技術的主導権を強化している。昨年中旬に1c D램（D1c）の量産承認を得てHBM4競争の基盤を築いた後、HBM4（5世代）の量産出荷とHBM4E（6世代）12段サンプルの先行供給を行い、AIメモリ市場での地位を拡大している。
29日、業界によるとサムスン電子はこの日、グローバル顧客にHBM4E 12段サンプルを出荷したと発表した。HBM4の量産出荷からわずか数ヶ月で後続製品のサンプル供給に入ったことから、HBM3E競争で苦戦していたサムスン電子がHBM4世代から流れを変えているとの評価が出ている。
今回のHBM4Eの核心は1c D램と4ナノロジックダイの組み合わせである。サムスン電子は10ナノ級6世代D램プロセスである1c D램をHBM4に適用し、歩留まりと性能の安定性を向上させ、同じ基盤をHBM4Eにも引き継いだ。HBMはD램の積層技術だけでなく、個別D램ダイの微細プロセス競争力が歩留まりと電力効率を左右するため、1c D램の確保がHBM4以降の製品競争力の出発点となったとの分析がある。
以前、本紙は昨年6月30日にサムスン電子が1c D램の量産承認を完了し、HBM4競争を本格化させたと独自報道した。当時、業界では1c D램の開発が単なる汎用D램プロセスの転換を超え、HBM4用ダイ生産の核心変数になると見ていた。実際、サムスン電子はその後HBM4の量産出荷に成功し、今回はHBM4Eサンプルまで顧客に供給し、技術ロードマップを前倒ししている。
HBM4E 12段製品は48GBの容量を実現し、ピンあたり14Gbpsの速度で安定して動作する。最大速度は16Gbpsまでサポートされる。単一スタック基準の帯域幅は1秒あたり3.6TB程度である。サムスン電子は設計とプロセスの最適化を通じて前作に比べエネルギー効率を16%改善し、熱抵抗特性も14%以上向上させたと説明している。
ただし、サンプル出荷が直ちに量産を意味するわけではない。HBMは顧客の認証とパッケージ単位の検証を経て、実際の供給量に結びつく必要がある。特にAIアクセラレーター用HBMは性能だけでなく、長期的な動作安定性、発熱管理、電力効率、パッケージングの完成度も評価される。
業界ではサムスン電子がHBM4の量産歩留まりを確保し、顧客のスケジュールに応じて供給を進めた経験がHBM4Eの量産転換にも好影響を与えると見ている。HBM4とHBM4Eがともに1c D램と4ナノロジックダイを基盤としているため、前回のプロセス安定化とパッケージングのノウハウが後続製品にも引き継がれる可能性がある。
サムスン電子はHBM4の量産過程で確保した1c D램の歩留まり管理と4ナノベースダイの連携経験をHBM4E顧客検証段階に適用しており、内部的にはサンプル供給後の量産転換スケジュールを顧客のロードマップに合わせることに焦点を当てているとされている。
サムスン電子はHBM4E 12段を皮切りに、32GB 8段、64GB 16段製品までラインアップを拡大する計画である。AIサーバーとアクセラレーター市場でメモリの帯域幅と容量要求が急速に増加しているため、HBM4Eは次世代AIインフラ用の核心製品としての地位を確立する可能性が高い。
サムスン電子の強みはメモリ、ファウンドリ、システムLSI、先進パッケージングを併せ持つ事業構造にある。HBM4以降の製品ではD램自体の性能だけで競争力を説明することは難しく、ベースダイとパッケージング、顧客のニーズに応じた設計対応力が重要になっている。
業界ではサムスン電子がHBM3Eで相対的に遅れたイメージをHBM4世代でかなり取り戻したと見ている。特に1c D램の早期安定化がHBM4の量産とHBM4Eサンプル出荷につながった点で、今回の出荷は単なる製品発表以上にサムスン電子の次世代HBM戦略が実際の供給段階に移行していることを意味する。
黄相俊サムスン電子メモリ事業部開発担当副社長は「HBM4の量産成功に続き、次世代HBM4Eサンプル供給を問題なく完了し、サムスン電子の独自の技術リーダーシップを市場に確実に印象付けた」と述べ、「今後も圧倒的な技術的優位性と先行的な生産インフラ投資を基に、グローバルAIメモリ市場の成長を強力に主導する」と語った。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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