サムスン電子は次世代AIアクセラレーター用メモリであるHBM4E 12層サンプルをグローバル顧客に供給した。HBM4の量産出荷に続き、6世代目のHBM4Eサンプルを前倒しで出荷することで、HBM3Eで後れを取っていた流れをHBM4世代から取り戻そうとする動きが本格化しているとの解釈がなされている。
29日、業界によるとサムスン電子は世界初のHBM4E 12層サンプル出荷を開始した。HBM4EはHBM4の後継製品であり、AI半導体の演算性能と電力効率を左右する重要なメモリである。大規模言語モデルや推論型AIサービスの普及に伴い、高性能HBMの需要が急速に増加しており、顧客獲得競争も激化している。
今回の製品は1c DRAMと4nmロジックダイを適用している。サムスン電子はこれにより、プロセスの安定性と量産性を同時に確保したと説明している。ピンあたりの動作速度は14Gbpsで、最大16Gbpsまで実現可能である。単一スタック基準の帯域幅は毎秒3.6TBである。
容量は12層基準で48GBである。サムスン電子は顧客の需要に応じて32GB 8層および64GB 16層製品までラインアップを拡大する計画である。AIアクセラレーター企業がモデルのサイズと演算量を増やす中、HBMは単なる部品ではなく、システム性能を左右するボトルネック技術として浮上している。
市場調査会社トレンドフォースは、今年初めにHBM4の検証段階でサムスン電子がプロセス改善を通じて安定性の面で先行していると分析しており、AI需要の拡大に伴い、主要顧客が供給網確保のためにサムスン電子・SKハイニックス・マイクロンをすべて活用する可能性が高いと見ている。
サムスン電子が強調する差別化ポイントは、メモリとファウンドリ、システムLSI、先端パッケージングを統合するターンキー能力である。HBM4Eには1c DRAMと自社の4nmロジックダイが適用されている。HBMはメモリセルの性能だけでなく、ベースダイとパッケージング品質が相互に関連する製品であるため、サムスン電子は総合半導体企業の構造を強みとしている。
電力効率と熱管理の改善も重要なポイントである。サムスン電子はHBM4E 12層製品のエネルギー効率を前作に比べて16%改善し、熱抵抗特性も14%以上向上したと発表した。AIデータセンターでは電力コストと熱管理が重要な負担となっているため、高速動作だけでなく電力効率が顧客の評価において重要な基準となっている。
サムスン電子は今年2月に世界初のHBM4を量産出荷したのに続き、供給拡大も進めている。HBM4とHBM4Eはともに1c DRAMと4nmベースダイの組み合わせに基づいているため、業界ではHBM4Eの量産転換の可能性も高いと見られている。
鍵となるのは顧客の認証と実際の供給量の確保である。HBM市場は技術発表よりも大手AI半導体顧客の採用が業績を左右する。サムスン電子がHBM4の量産出荷に続き、HBM4Eサンプル供給を加速することで、HBM4世代からは既存の競争構図に変化が生じる可能性が高まった。
黄相俊 サムスン電子メモリ事業部開発担当副社長は「HBM4の量産成功に続き、次世代HBM4Eサンプル供給を順調に完了し、サムスン電子の技術リーダーシップを市場に印象付けた」と述べ、「圧倒的な技術的優位性と先行的な生産インフラ投資を基に、グローバルAIメモリ市場の成長を主導する」と語った。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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